MOSFET, Canal-P, 4,4 A 40 V SOT-23, 3 broches

  • Code commande RS 787-9042
  • Référence fabricant SI2319CDS-T1-GE3
  • Marque Vishay
Documentation technique
Législation et Conformité
Déclaration de conformité RoHS
Détail produit

Transistor MOSFET canal P, de 30 à 80 V, Vishay Semiconductor

Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor

Caractéristiques techniques
Attribut Valeur
Type de canal P
Courant continu de Drain maximum 4,4 A
Tension Drain Source maximum 40 V
Type de boîtier SOT-23
Type de montage CMS
Nombre de broches 3
Résistance Drain Source maximum 108 mΩ
Mode de canal Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille 1.2V
Dissipation de puissance maximum 2,5 W
Configuration du transistor Simple
Tension Grille Source maximum -20 V, +20 V
Nombre d'éléments par circuit 1
Température de fonctionnement minimum -55 °C
Longueur 3.04mm
Largeur 1.4mm
Hauteur 1.02mm
Charge de Grille type @ Vgs 13,6 nC @ 10 V
Matériau du transistor Si
Température d'utilisation maximum +150 °C
60 pour livraison dès le lendemain (stock France)
2200 Sous 1 jour(s) (stock Europe)
Prix pour l'unité (par multiple de 10)
0,408
HT
0,49
TTC
Unité
Prix par unité
le paquet*
10 - 20
0,408 €
4,08 €
30 - 140
0,239 €
2,39 €
150 - 740
0,202 €
2,02 €
750 - 1490
0,193 €
1,93 €
1500 +
0,188 €
1,88 €
*Prix donné à titre indicatif
Options de conditionnement :