Transistor MOSFET onsemi canal N, ECH 8 A 24 V, 8 broches

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Documentation technique

Transistors MOSFET, ON Semiconductor

Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	8 A
Tension Drain Source maximum	24 V
Type de boîtier	ECH
Type de montage	CMS
Nombre de broches	8
Résistance Drain Source maximum	23 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	1.3V
Dissipation de puissance maximum	1,5 W
Configuration du transistor	Drain commun
Tension Grille Source maximum	-12 V, +12 V
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Nombre d'éléments par circuit	2
Largeur	2.3mm
Matériau du transistor	Si
Charge de Grille type @ Vgs	7,5 nC @ 4,5 V
Longueur	2.9mm
Hauteur	0.9mm