- Code commande RS:
- 802-4492
- Référence fabricant:
- IXFX120N30P3
- Marque:
- IXYS
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TTC
Unité | Prix par unité |
1 - 9 | 16,53 € |
10 - 49 | 13,62 € |
50 - 99 | 12,55 € |
100 - 199 | 12,26 € |
200 + | 11,95 € |
- Code commande RS:
- 802-4492
- Référence fabricant:
- IXFX120N30P3
- Marque:
- IXYS
Législation et Conformité
Détail produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série HiperFET™ Polar3™
Une gamme de transistors MOSFETS de puissance à canal N, série IXYS Polar3™, avec diode intrinsèque rapide (HiPerFET™)
Transistors MOSFET, IXYS
Une large gamme de dispositifs de puissance discrets avancés MOSFET d'IXYS
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
---|---|
Type de canal | N |
Courant continu de Drain maximum | 120 A |
Tension Drain Source maximum | 300 V |
Type de boîtier | PLUS247 |
Type de montage | Traversant |
Nombre de broches | 3 |
Résistance Drain Source maximum | 27 mΩ |
Mode de canal | Enrichissement |
Tension de seuil maximale de la grille | 5V |
Dissipation de puissance maximum | 1,13 kW |
Configuration du transistor | Simple |
Tension Grille Source maximum | -20 V, +20 V |
Longueur | 16.13mm |
Charge de Grille type @ Vgs | 150 nC @ 10 V |
Température d'utilisation maximum | +150 °C |
Largeur | 5.21mm |
Nombre d'éléments par circuit | 1 |
Matériau du transistor | Si |
Hauteur | 21.34mm |
Série | HiperFET, Polar3 |
Température de fonctionnement minimum | -55 °C |
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