MOSFET, Canal-N, 3 A 30 V MPT, 3 broches

  • Code commande RS 826-7734
  • Référence fabricant RHP030N03T100
  • Marque ROHM
Documentation technique
Législation et Conformité
Déclaration de conformité RoHS
Pays d'origine : TH
Détail produit

Transistors MOSFET canal N, ROHM

Transistors MOSFET, ROHM Semiconductor

Caractéristiques techniques
Attribut Valeur
Type de canal N
Courant continu de Drain maximum 3 A
Tension Drain Source maximum 30 V
Type de boîtier MPT
Type de montage CMS
Nombre de broches 3
Résistance Drain Source maximum 210 mΩ
Mode de canal Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille 2.5V
Dissipation de puissance maximum 2 W
Configuration du transistor Simple
Tension Grille Source maximum -20 V, +20 V
Nombre d'éléments par circuit 1
Matériau du transistor Si
Largeur 2.5mm
Hauteur 1.5mm
Charge de Grille type @ Vgs 6,5 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum +150 °C
Longueur 4.5mm
60 En stock pour livraison sous 5 jour(s)
Prix pour l'unité (par multiple de 20)
0,419
HT
0,503
TTC
Unité
Prix par unité
le paquet*
20 - 80
0,419 €
8,38 €
100 - 180
0,323 €
6,46 €
200 - 480
0,282 €
5,64 €
500 - 980
0,24 €
4,80 €
1000 +
0,228 €
4,56 €
*Prix donné à titre indicatif
.
Options de conditionnement :