MOSFET, Canal-P, 200 mA 30 V SOT-416 (SC-75 A), 3 broches

  • Code commande RS 826-7762
  • Référence fabricant RSE002P03TL
  • Marque ROHM
Documentation technique
Législation et Conformité
Déclaration de conformité RoHS
Pays d'origine : TH
Détail produit

Transistors MOSFET canal P, ROHM

Transistors MOSFET, ROHM Semiconductor

Caractéristiques techniques
Attribut Valeur
Type de canal P
Courant continu de Drain maximum 200 mA
Tension Drain Source maximum 30 V
Type de boîtier SOT-416 (SC-75 A)
Type de montage CMS
Nombre de broches 3
Résistance Drain Source maximum 2,4 Ω
Mode de canal Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille 2.5V
Dissipation de puissance maximum 150 mW
Configuration du transistor Simple
Tension Grille Source maximum -20 V, +20 V
Nombre d'éléments par circuit 1
Matériau du transistor Si
Largeur 0.8mm
Longueur 1.6mm
Température d'utilisation maximum +150 °C
Hauteur 0.7mm
En cours d'approvisionnement. Nous contacter
Prix pour l'unité (par multiple de 50)
0,328
HT
0,394
TTC
Unité
Prix par unité
le paquet*
50 - 200
0,328 €
16,40 €
250 - 700
0,294 €
14,70 €
750 - 1450
0,287 €
14,35 €
1500 - 2950
0,28 €
14,00 €
3000 +
0,273 €
13,65 €
*Prix donné à titre indicatif
Options de conditionnement :