MOSFET Infineon canal P, SOIC 3,4 A 55 V, 8 broches

Name: MOSFET Infineon canal P, SOIC 3,4 A 55 V, 8 broches
Brand: Infineon
SKU: 826-8901P
Price: 0.87 EUR
Availability: InStock

Achat en gros disponible

Prix pour l'unité (conditionné en bobine)**. Pour une quantité inférieure à 150, la livraison s'effectuera en bande

0,928 €

1,114 €

TTC

3550 En stock pour livraison sous 3 jour(s)*

* Les dates de livraison peuvent varier selon la quantité choisie et l'adresse de livraison.

Uniquement disponible en livraison standard

**Prix donné à titre indicatif

Attribut	Valeur
Type de canal	P
Courant continu de Drain maximum	3,4 A
Tension Drain Source maximum	55 V
Type de boîtier	SOIC
Série	HEXFET
Type de montage	CMS
Nombre de broches	8
Résistance Drain Source maximum	170 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	1V
Tension de seuil minimale de la grille	1V
Dissipation de puissance maximum	2 W
Configuration du transistor	Isolé
Tension Grille Source maximum	-20 V, +20 V
Nombre d'éléments par circuit	2
Matériau du transistor	Si
Largeur	4mm
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Longueur	5mm
Charge de Grille type @ Vgs	26 nC @ 10 V
Température de fonctionnement minimum	-55 °C
Hauteur	1.5mm