MOSFET, Canal-N, 30 A 60 V TO-220SIS, 3 broches

  • Code commande RS 827-6179
  • Référence fabricant TK30A06N1,S4X(S
  • Marque Toshiba
Documentation technique
Législation et Conformité
Déclaration de conformité RoHS
Pays d'origine : CN
Détail produit

Transistor MOSFET à canal N, série TK3x, Toshiba

Transistors MOSFET, Toshiba

Caractéristiques techniques
Attribut Valeur
Type de canal N
Courant continu de Drain maximum 30 A
Tension Drain Source maximum 60 V
Type de boîtier TO-220SIS
Type de montage Traversant
Nombre de broches 3
Résistance Drain Source maximum 15 mΩ
Mode de canal Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille 4V
Dissipation de puissance maximum 25 W
Configuration du transistor Simple
Tension Grille Source maximum -20 V, +20 V
Nombre d'éléments par circuit 1
Charge de Grille type @ Vgs 16 nC @ 10 V
Longueur 10mm
Température d'utilisation maximum +150 °C
Hauteur 15mm
Matériau du transistor Si
Série TK
Largeur 4.5mm
160 En stock pour livraison sous 1 jour(s)
Prix pour l'unité (par multiple de 10)
0,378
HT
0,454
TTC
Unité
Prix par unité
le paquet*
10 - 90
0,378 €
3,78 €
100 - 240
0,348 €
3,48 €
250 - 490
0,327 €
3,27 €
500 - 990
0,301 €
3,01 €
1000 +
0,277 €
2,77 €
*Prix donné à titre indicatif
.
Options de conditionnement :