MOSFET, Canal-N, 190 mA 240 V TO-92, 3 broches

  • Code commande RS 861-0670
  • Référence fabricant VN2410L-G
  • Marque Microchip
Documentation technique
Législation et Conformité
Déclaration de conformité RoHS
Détail produit

Transistors MOSFET canal N à mode d'enrichissement Supertex

La gamme Supertex de transistors DMOS FET (normalement éteints) à canal N et mode d'enrichissement de Microchip est adaptée à de nombreuses applications de commutation et d'amplification exigeant une faible tension de seuil, une haute tension d'isolement, une impédance d'entrée élevée, une faible capacité d'entrée et des vitesses de commutation rapides.

Transistors MOSFET, Microchip

Caractéristiques techniques
Attribut Valeur
Type de canal N
Courant continu de Drain maximum 190 mA
Tension Drain Source maximum 240 V
Type de boîtier TO-92
Type de montage Traversant
Nombre de broche 3
Résistance Drain Source maximum 10 Ω
Mode de canal Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille 2V
Dissipation de puissance maximum 1 W
Configuration du transistor Simple
Tension Grille Source maximum -20 V, +20 V
Nombre d'éléments par circuit 1
Longueur 5.2mm
Température de fonctionnement minimum -55 °C
Largeur 4.19mm
Hauteur 5.33mm
Température d'utilisation maximum +150 °C
Matériau du transistor Si
80 pour livraison dès le lendemain (stock France)
150 Sous 1 jour(s) (stock Europe)
Prix pour l'unité (par multiple de 10)
0,781
HT
0,937
TTC
Unité
Prix par unité
le paquet*
10 - 20
0,781 €
7,81 €
30 - 90
0,741 €
7,41 €
100 +
0,675 €
6,75 €
*Prix donné à titre indicatif
Options de conditionnement :