MOSFET, Canal-N, 11 A 660 V TO-220F, 3 broches

  • Code commande RS 871-4915
  • Référence fabricant MDF11N60BTH
  • Marque MagnaChip
Documentation technique
Législation et Conformité
Déclaration de conformité RoHS
Détail produit

Transistor MOSFET haute tension (HV)

Transistor MOSFET à canal N haute tension, avec faible résistance à l'état passant et performances de commutation élevées.

Transistors MOSFET, MagnaChip

Caractéristiques techniques
Attribut Valeur
Type de canal N
Courant continu de Drain maximum 11 A
Tension Drain Source maximum 660 V
Type de boîtier TO-220F
Type de montage Traversant
Nombre de broches 3
Résistance Drain Source maximum 550 mΩ
Mode de canal Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille 5V
Dissipation de puissance maximum 49 W
Configuration du transistor Simple
Tension Grille Source maximum -30 V, +30 V
Nombre d'éléments par circuit 1
Température de fonctionnement minimum -55 °C
Température d'utilisation maximum +150 °C
Tension directe de la diode 1.4V
Longueur 10.71mm
Charge de Grille type @ Vgs 38,4 nC @ 10 V
Hauteur 16.13mm
Largeur 4.93mm
Matériau du transistor Si
Fonctionnalité momentanément indisponible, veuillez nous contacter
Prix pour l'unité (en tube de 10)
0,911
HT
1,093
TTC
Unité
Prix par unité
le tube*
10 - 40
0,911 €
9,11 €
50 - 90
0,838 €
8,38 €
100 - 240
0,788 €
7,88 €
250 - 490
0,725 €
7,25 €
500 +
0,667 €
6,67 €
*Prix donné à titre indicatif
.
Options de conditionnement :