MOSFET MagnaChip canal P, SOIC 12 A 30 V, 8 broches

Ce produit n’est plus distribué

Documentation technique

Ces transistors MOSFET basse tension (LV) fournissent une faible résistance à l'état passant et des performances de commutation rapides.

Transistors MOSFET, MagnaChip

Attribut	Valeur
Type de canal	P
Courant continu de Drain maximum	12 A
Tension Drain Source maximum	30 V
Type de boîtier	SOIC
Type de montage	CMS
Nombre de broches	8
Résistance Drain Source maximum	14,5 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	3V
Dissipation de puissance maximum	2,5 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-25 V, +25 V
Charge de Grille type @ Vgs	38,4 nC @ 10 V
Longueur	5mm
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Matériau du transistor	Si
Largeur	4mm
Nombre d'éléments par circuit	1
Tension directe de la diode	1V
Température de fonctionnement minimum	-55 °C
Hauteur	1.5mm