MOSFET, Canal-P, 250 mA 60 V TO-92, 3 broches

  • Code commande RS 879-3283
  • Référence fabricant VP2106N3-G
  • Marque Microchip
Documentation technique
Législation et Conformité
Déclaration de conformité RoHS
Détail produit

Transistors MOSFET canal P à mode d'enrichissement Supertex

La gamme Supertex de transistors DMOS FET (normalement éteints) à canal P et mode d'enrichissement de Microchip est adaptée à de nombreuses applications de commutation et d'amplification exigeant une faible tension de seuil, une haute tension d'isolement, une impédance d'entrée élevée, une faible capacité d'entrée et des vitesses de commutation rapides.

Transistors MOSFET, Microchip

Caractéristiques techniques
Attribut Valeur
Type de canal P
Courant continu de Drain maximum 250 mA
Tension Drain Source maximum 60 V
Type de boîtier TO-92
Type de montage Traversant
Nombre de broche 3
Résistance Drain Source maximum 15 Ω
Mode de canal Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille 3.5V
Dissipation de puissance maximum 1 W
Configuration du transistor Simple
Tension Grille Source maximum -20 V, +20 V
Nombre d'éléments par circuit 1
Largeur 4.06mm
Longueur 5.08mm
Matériau du transistor Si
Hauteur 5.33mm
Température d'utilisation maximum +150 °C
Température de fonctionnement minimum -55 °C
Tension directe de la diode 2V
75 pour livraison dès le lendemain (stock France)
1450 Sous 1 jour(s) (stock Europe)
Prix pour l'unité (par multiple de 25)
0,36
HT
0,43
TTC
Unité
Prix par unité
le paquet*
25 - 75
0,36 €
9,00 €
100 +
0,325 €
8,125 €
*Prix donné à titre indicatif
Options de conditionnement :