MOSFET, Canal-N, 3 A 900 V SC-67, 3 broches

  • Code commande RS 890-2686
  • Référence fabricant 2SK3564,S5Q(J
  • Marque Toshiba
Documentation technique
Législation et Conformité
Déclaration de conformité RoHS
Pays d'origine : MY
Détail produit

Transistor MOSFET à canal-N, série 2SK, Toshiba

Transistors MOSFET, Toshiba

Caractéristiques techniques
Attribut Valeur
Type de canal N
Courant continu de Drain maximum 3 A
Tension Drain Source maximum 900 V
Type de boîtier SC-67
Type de montage Traversant
Nombre de broches 3
Résistance Drain Source maximum 4,3 Ω
Mode de canal Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille 4V
Dissipation de puissance maximum 40 W
Configuration du transistor Simple
Tension Grille Source maximum -30 V, +30 V
Nombre d'éléments par circuit 1
Tension directe de la diode 1.9V
Série 2SK
Largeur 4.5mm
Matériau du transistor Si
Hauteur 15mm
Charge de Grille type @ Vgs 17 nC @ 10 V
Longueur 10mm
Température d'utilisation maximum +150 °C
En stock à partir du 28/07/2020, livraison sous 5 jour(s)
Prix pour l'unité (par multiple de 5)
0,854
HT
1,025
TTC
Unité
Prix par unité
le paquet*
5 - 20
0,854 €
4,27 €
25 - 45
0,836 €
4,18 €
50 - 95
0,818 €
4,09 €
100 - 245
0,802 €
4,01 €
250 +
0,788 €
3,94 €
*Prix donné à titre indicatif
.
Options de conditionnement :