MOSFET, Canal-N, 330 mA 9 V SOT-23, 5 broches

  • Code commande RS 912-5259
  • Référence fabricant LND01K1-G
  • Marque Microchip
Documentation technique
Législation et Conformité
Déclaration de conformité RoHS
Détail produit

Transistors MOSFET canal N LND01

Le Microchip LND01 est un transistor MOSFET à seuil bas et mode d'appauvrissement (normalement ouvert). La conception combine les capacités de gestion de la puissance d'un transistor bipolaire avec l'impédance d'entrée élevée et le coefficient de température positif des circuits MOS.

Caractéristiques

Bidirectionnelle
Faible résistance à état passant
Faible capacité d'entrée
Vitesses de commutation rapides
Impédance d'entrée et gain élevés
Faible puissance d'entraînement requise
Fonctionnement parallèle aisé

Transistors MOSFET, Microchip

Caractéristiques techniques
Attribut Valeur
Type de canal N
Courant continu de Drain maximum 330 mA
Tension Drain Source maximum 9 V
Type de boîtier SOT-23
Type de montage CMS
Nombre de broche 5
Résistance Drain Source maximum 1,4 Ω
Mode de canal Depletion
Dissipation de puissance maximum 360 mW
Configuration du transistor Simple
Tension Grille Source maximum -12 V, +0,6 V
Nombre d'éléments par circuit 1
Température d'utilisation maximum +125 °C
Hauteur 1.3mm
Température de fonctionnement minimum -25 °C
Largeur 1.75mm
Longueur 3.05mm
Matériau du transistor Si
1975 En stock pour livraison sous 2 jour(s)
Prix pour l'unité (par multiple de 25)
0,252
HT
0,302
TTC
Unité
Prix par unité
le paquet*
25 +
0,252 €
6,30 €
*Prix donné à titre indicatif
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Options de conditionnement :