MOSFET, Canal-N, 230 mA 60 V TO-92, 3 broches

  • Code commande RS 916-3721
  • Référence fabricant 2N7008-G
  • Marque Microchip
Documentation technique
Législation et Conformité
Déclaration de conformité RoHS
Détail produit

Transistors MOSFET canal N 2N7008

Le 2N7008 de Microchip est un transistor à mode d'enrichissement (normalement fermé) qui utilise une structure verticale DMOS. La conception combine les capacités de gestion de la puissance d'un transistor bipolaire avec l'impédance d'entrée élevée et le coefficient de température positif des circuits MOS.

Caractéristiques

Libre de toute panne secondaire
Faible puissance d'entraînement requise
Fonctionnement parallèle aisé
Faible CISS et vitesses de commutation rapides
Excellente stabilité thermique
Diode de source-drain intégrée
Impédance d'entrée et gain élevés

Transistors MOSFET, Microchip

Caractéristiques techniques
Attribut Valeur
Type de canal N
Courant continu de Drain maximum 230 mA
Tension Drain Source maximum 60 V
Type de boîtier TO-92
Type de montage Traversant
Nombre de broche 3
Résistance Drain Source maximum 7,5 Ω
Mode de canal Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille 2.5V
Tension de seuil minimale de la grille 1V
Dissipation de puissance maximum 1 W
Configuration du transistor Simple
Tension Grille Source maximum -30 V, +30 V
Nombre d'éléments par circuit 1
Longueur 5.08mm
Tension directe de la diode 1.5V
Largeur 4.06mm
Hauteur 5.33mm
Température d'utilisation maximum +150 °C
Température de fonctionnement minimum -55 °C
Matériau du transistor Si
1225 En stock pour livraison sous 2 jour(s)
Prix pour l'unité (par multiple de 25)
0,377
HT
0,452
TTC
Unité
Prix par unité
le paquet*
25 - 75
0,377 €
9,425 €
100 +
0,342 €
8,55 €
*Prix donné à titre indicatif
.
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