MOSFET, Canal-N, 193 A 1200 V, 7 broches

  • Code commande RS 916-3879
  • Référence fabricant CAS120M12BM2
  • Marque Wolfspeed
Documentation technique
Législation et Conformité
Déclaration de conformité RoHS
Détail produit

Modules MOSFET d'alimentation en carbure de silicium Wolfspeed

Modules MOSFET d'alimentation en carbure de silicium, de Wolfspeed, la division Power de Cree Inc. Ces modules MOSFET SiC sont logés dans des boîtiers standard industriels et sont disponibles en formats demi-pont (2 transistors MOSFET) et 3 phases (6 transistors MOSFET) ; ils incluent également des diodes de récupération inverse SiC. Les applications typiques incluent le chauffage par induction, les inverseurs solaires et éoliens, les convertisseurs c.c.-c.c., les PFC 3 phases, les variateurs de régénération de ligne, les systèmes d'alimentation sans coupure (UPS) et d'alimentations à découpage (SMPS), les entraînements de moteur et les chargeurs de batterie.

• Le courant de queue de désactivation MOSFET et le courant de récupération inverse de diode équivalent effectivement à zéro.
• Fonctionnement haute fréquence et ultra faibles pertes
• Mise en parallèle facile grâce aux caractéristiques SiC
• Normalement éteint, fonctionnement à sécurité intégrée
• Base en cuivre et isolant en nitrure d'aluminium pour réduire les exigences thermiques

Transistors MOSFET, Wolfspeed

Caractéristiques techniques
Attribut Valeur
Type de canal N
Courant continu de Drain maximum 193 A
Tension Drain Source maximum 1200 V
Type de boîtier Demi-pont
Type de montage Montage panneau
Nombre de broches 7
Résistance Drain Source maximum 30 mΩ
Mode de canal Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille 2.6V
Tension de seuil minimale de la grille 1.8V
Dissipation de puissance maximum 925 W
Configuration du transistor Série
Tension Grille Source maximum -10 V, +25 V
Nombre d'éléments par circuit 2
Température d'utilisation maximum +150 °C
Longueur 106.4mm
Charge de Grille type @ Vgs 378 nC @ 20 V
Tension directe de la diode 2.4V
Température de fonctionnement minimum -40 °C
Matériau du transistor SiC
Largeur 61.4mm
Hauteur 30mm
Fonctionnalité momentanément indisponible, veuillez nous contacter
Prix pour la pièce
367,60
HT
441,12
TTC
Unité
Prix par unité
1 - 4
367,60 €
5 - 9
351,77 €
10 - 24
342,75 €
25 +
334,18 €
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