Références fabricant

MOSFET, Canal-N, 18 A 200 V TO-220AB, 3 broches

Code commande RS:
919-4817
Référence fabricant:
IRF640NPBF
Marque:
Infineon
Infineon

En stock à partir du 04/10/2022, pour livraison dès le lendemain
Add to Basket
Unité

Ajouté

Prix pour l'unité (en tube de 50)

0,91 €

HT

1,09 €

TTC

UnitéPrix par unitéle tube*
50 - 500,91 €45,50 €
100 - 2000,882 €44,10 €
250 - 4500,855 €42,75 €
500 +0,819 €40,95 €
*Prix donné à titre indicatif
Code commande RS:
919-4817
Référence fabricant:
IRF640NPBF
Marque:
Infineon
Pays d'origine :
MX

Documentation technique


Législation et Conformité

Pays d'origine :
MX

Détail produit

Transistor MOSFET de puissance à canal N 150 à 600 V, Infineon




Caractéristiques techniques

AttributValeur
Type de canalN
Courant continu de Drain maximum18 A
Tension Drain Source maximum200 V
Type de boîtierTO-220AB
Type de montageTraversant
Nombre de broches3
Résistance Drain Source maximum150 mΩ
Mode de canalEnrichissement
Tension de seuil maximale de la grille4V
Tension de seuil minimale de la grille2V
Dissipation de puissance maximum150 W
Configuration du transistorSimple
Tension Grille Source maximum-20 V, +20 V
Nombre d'éléments par circuit1
Matériau du transistorSi
Température d'utilisation maximum+175 °C
Charge de Grille type @ Vgs67 nC @ 10 V
Température de fonctionnement minimum-55 °C
SérieHEXFET
Hauteur8.77mm
En stock à partir du 04/10/2022, pour livraison dès le lendemain
Add to Basket
Unité

Ajouté

Prix pour l'unité (en tube de 50)

0,91 €

HT

1,09 €

TTC

UnitéPrix par unitéle tube*
50 - 500,91 €45,50 €
100 - 2000,882 €44,10 €
250 - 4500,855 €42,75 €
500 +0,819 €40,95 €
*Prix donné à titre indicatif