MOSFET IXYS canal N, SOT-227 115 A 200 V, 4 broches

Name: MOSFET IXYS canal N, SOT-227 115 A 200 V, 4 broches
Brand: IXYS
SKU: 920-0735
Price: 31.78 EUR
Availability: InStock

320 En stock pour livraison sous 2 jour(s)

Uniquement disponible en livraison standard

Ajouté

Prix pour l'unité (en tube de 10)

26,479 €

31,775 €

TTC

Documentation technique

Transistors MOSFET de puissance à canal N avec diode intrinsèque rapide (HiPerFET™) d'IXYS

Transistors MOSFET, IXYS

Une large gamme de dispositifs de puissance discrets avancés MOSFET d'IXYS

Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	115 A
Tension Drain Source maximum	200 V
Série	HiperFET, Polar
Type de boîtier	SOT-227
Type de montage	Montage à visser
Nombre de broches	4
Résistance Drain Source maximum	18 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	5V
Dissipation de puissance maximum	680 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-20 V, +20 V
Nombre d'éléments par circuit	1
Charge de Grille type @ Vgs	240 nC @ 10 V
Longueur	38.23mm
Température d'utilisation maximum	+175 °C
Matériau du transistor	Si
Largeur	25.42mm
Température de fonctionnement minimum	-55 °C
Hauteur	9.6mm