- Code commande RS:
- 920-0789
- Référence fabricant:
- IXFN64N50P
- Marque:
- IXYS
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Prix pour l'unité (en tube de 10)
24,198 €
HT
29,038 €
TTC
Unité | Prix par unité | le tube* |
10 - 10 | 24,198 € | 241,98 € |
20 - 30 | 22,988 € | 229,88 € |
40 - 90 | 22,262 € | 222,62 € |
100 - 190 | 20,81 € | 208,10 € |
200 + | 19,552 € | 195,52 € |
*Prix donné à titre indicatif |
- Code commande RS:
- 920-0789
- Référence fabricant:
- IXFN64N50P
- Marque:
- IXYS
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série HiperFET™ Polar™
Transistors MOSFET de puissance à canal N avec diode intrinsèque rapide (HiPerFET™) d'IXYS
Transistors MOSFET, IXYS
Une large gamme de dispositifs de puissance discrets avancés MOSFET d'IXYS
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
---|---|
Type de canal | N |
Courant continu de Drain maximum | 61 A |
Tension Drain Source maximum | 500 V |
Type de boîtier | SOT-227 |
Série | HiperFET, Polar |
Type de montage | Montage à visser |
Nombre de broches | 4 |
Résistance Drain Source maximum | 85 mΩ |
Mode de canal | Enrichissement |
Tension de seuil maximale de la grille | 5.5V |
Dissipation de puissance maximum | 700 W |
Configuration du transistor | Simple |
Tension Grille Source maximum | -30 V, +30 V |
Température d'utilisation maximum | +150 °C |
Longueur | 38.23mm |
Nombre d'éléments par circuit | 1 |
Charge de Grille type @ Vgs | 150 nC @ 10 V |
Largeur | 25.42mm |
Matériau du transistor | Si |
Hauteur | 9.6mm |
Température de fonctionnement minimum | -55 °C |
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