MOSFET, Canal-N, 55 A 60 V A-220, 3 broches

Documentation technique
Législation et Conformité
Déclaration de conformité RoHS
Détail produit

Canal N STripFET™ II, STMicroelectronics

Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.

Transistors MOSFET, ROHM, STMicroelectronics

Caractéristiques techniques
Attribut Valeur
Type de canal N
Courant continu de Drain maximum 55 A
Tension Drain Source maximum 60 V
Type de boîtier A-220
Type de montage Traversant
Nombre de broche 3
Résistance Drain Source maximum 18 mΩ
Mode de canal Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille 1V
Dissipation de puissance maximum 95 W
Configuration du transistor Simple
Tension Grille Source maximum -16 V, +16 V
Nombre d'éléments par circuit 1
Matériau du transistor Si
Charge de Grille type @ Vgs 27 nC @ 4,5 V
Largeur 4.6mm
Hauteur 9.15mm
Température de fonctionnement minimum -55 °C
Longueur 10.4mm
Série STripFET II
Température d'utilisation maximum +175 °C
3800 En stock pour livraison sous 2 jour(s)
Prix pour l'unité (en tube de 50)
1,137
HT
1,364
TTC
Unité
Prix par unité
le tube*
50 - 50
1,137 €
56,85 €
100 - 150
0,999 €
49,95 €
200 - 450
0,972 €
48,60 €
500 - 950
0,948 €
47,40 €
1000 +
0,924 €
46,20 €
*Prix donné à titre indicatif
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