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Détails du produit
MOSFET Infineon canal N, DPAK (TO-252) 42 A 55 V, 3 broches
  • 0,537 €
    l'unité (en bobine de 2000)
MOSFET Infineon canal N, DPAK (TO-252) 42 A 55 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum42 A
  • Tension Drain Source maximum55 V
  • Type de boîtierDPAK (TO-252)
  • SérieHEXFET
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MOSFET Infineon canal N, DPAK (TO-252) 42 A 55 V, 3 broches
  • 1,067 €
    l'unité (par multiple de 20)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
MOSFET Infineon canal N, DPAK (TO-252) 42 A 55 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum42 A
  • Tension Drain Source maximum55 V
  • Type de boîtierDPAK (TO-252)
  • SérieHEXFET
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MOSFET Infineon canal N, TO-247AC 110 A 55 V, 3 broches
  • 1,027 €
    l'unité (en tube de 25)
MOSFET Infineon canal N, TO-247AC 110 A 55 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum110 A
  • Tension Drain Source maximum55 V
  • SérieHEXFET
  • Type de boîtierTO-247AC
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MOSFET Infineon canal N, TO-247AC 110 A 55 V, 3 broches
  • 1,09 €la pièce
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
MOSFET Infineon canal N, TO-247AC 110 A 55 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum110 A
  • Tension Drain Source maximum55 V
  • SérieHEXFET
  • Type de boîtierTO-247AC
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MOSFET Infineon canal N, TO-220AB 343 A 40 V, 3 broches
  • 2,668 €
    l'unité (en tube de 50)
MOSFET Infineon canal N, TO-220AB 343 A 40 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum343 A
  • Tension Drain Source maximum40 V
  • Type de boîtierTO-220AB
  • SérieHEXFET
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  • 3,085 €
    l'unité (par multiple de 2)
MOSFET Infineon canal N, TO-220AB 343 A 40 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum343 A
  • Tension Drain Source maximum40 V
  • SérieHEXFET
  • Type de boîtierTO-220AB
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MOSFET Infineon canal P, TO-220AB 14 A 100 V, 3 broches
  • 0,86 €la pièce
MOSFET Infineon canal P, TO-220AB 14 A 100 V, 3 broches
  • Type de canalP
  • Courant continu de Drain maximum14 A
  • Tension Drain Source maximum100 V
  • SérieHEXFET
  • Type de boîtierTO-220AB
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  • 0,624 €
    l'unité (en tube de 50)
MOSFET Infineon canal P, TO-220AB 14 A 100 V, 3 broches
  • Type de canalP
  • Courant continu de Drain maximum14 A
  • Tension Drain Source maximum100 V
  • SérieHEXFET
  • Type de boîtierTO-220AB
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Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches
  • 0,044 €
    l'unité (par multiple de 50)
Transistor, NPN Simple, 100 mA, 45 V, SOT-23, 3 broches
  • Type de transistorNPN
  • Courant continu de Collecteur maximum100 mA
  • Tension Collecteur Emetteur maximum45 V
  • Type de boîtierSOT-23
  • Type de montageCMS
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MOSFET Infineon canal N, TO-220AB 9,7 A 100 V, 3 broches
  • 0,551 €
    l'unité (en tube de 50)
MOSFET Infineon canal N, TO-220AB 9,7 A 100 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum9,7 A
  • Tension Drain Source maximum100 V
  • Type de boîtierTO-220AB
  • SérieHEXFET
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MOSFET Infineon canal N, TO-220AB 9,7 A 100 V, 3 broches
  • 0,68 €la pièce
MOSFET Infineon canal N, TO-220AB 9,7 A 100 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum9,7 A
  • Tension Drain Source maximum100 V
  • Type de boîtierTO-220AB
  • SérieHEXFET
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MOSFET Infineon canal N, TO-220AB 33 A 100 V, 3 broches
  • 0,858 €
    l'unité (en tube de 50)
MOSFET Infineon canal N, TO-220AB 33 A 100 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum33 A
  • Tension Drain Source maximum100 V
  • Type de boîtierTO-220AB
  • SérieHEXFET
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MOSFET Infineon canal N, TO-220AB 33 A 100 V, 3 broches
  • 0,794 €
    l'unité (par multiple de 20)
MOSFET Infineon canal N, TO-220AB 33 A 100 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum33 A
  • Tension Drain Source maximum100 V
  • SérieHEXFET
  • Type de boîtierTO-220AB
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MOSFET Infineon canal N, D2PAK (TO-263) 57 A 100 V, 3 broches
  • 1,346 €
    l'unité (en tube de 50)
MOSFET Infineon canal N, D2PAK (TO-263) 57 A 100 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum57 A
  • Tension Drain Source maximum100 V
  • SérieHEXFET
  • Type de boîtierD2PAK (TO-263)
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  • 0,95 €la pièce
MOSFET Infineon canal N, TO-220AB 49 A 55 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum49 A
  • Tension Drain Source maximum55 V
  • SérieHEXFET
  • Type de boîtierTO-220AB
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MOSFET Infineon canal N, TO-220AB 49 A 55 V, 3 broches
  • 0,825 €
    l'unité (en tube de 50)
MOSFET Infineon canal N, TO-220AB 49 A 55 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum49 A
  • Tension Drain Source maximum55 V
  • Type de boîtierTO-220AB
  • SérieHEXFET
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MOSFET Infineon canal N, TO-220AB 18 A 200 V, 3 broches
  • 0,789 €
    l'unité (en tube de 50)
MOSFET Infineon canal N, TO-220AB 18 A 200 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum18 A
  • Tension Drain Source maximum200 V
  • Type de boîtierTO-220AB
  • SérieHEXFET
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MOSFET Infineon canal N, TO-220AB 18 A 200 V, 3 broches
  • 0,95 €la pièce
MOSFET Infineon canal N, TO-220AB 18 A 200 V, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum18 A
  • Tension Drain Source maximum200 V
  • SérieHEXFET
  • Type de boîtierTO-220AB
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  • 0,051 €
    l'unité (en bobine de 3000)
MOSFET Infineon canal P, SOT-23 170 mA 60 V, 3 broches
  • Type de canalP
  • Courant continu de Drain maximum170 mA
  • Tension Drain Source maximum60 V
  • SérieSIPMOS
  • Type de boîtierSOT-23
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MOSFET Infineon canal P, SOT-23 170 mA 60 V, 3 broches
  • 0,035 €
    l'unité (par multiple de 250)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
MOSFET Infineon canal P, SOT-23 170 mA 60 V, 3 broches
  • Type de canalP
  • Courant continu de Drain maximum170 mA
  • Tension Drain Source maximum60 V
  • SérieSIPMOS
  • Type de boîtierSOT-23
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