MOSFET Infineon canal P, SOT-23 170 mA 60 V, 3 broches
- Code commande RS:
- 911-4842
- Référence fabricant:
- BSS84PH6327XTSA2
- Marque:
- Infineon
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- Code commande RS:
- 911-4842
- Référence fabricant:
- BSS84PH6327XTSA2
- Marque:
- Infineon
Documentation technique
Législation et Conformité
- Pays d'origine :
- CN
Détail produit
Transistors MOSFET canal P Infineon SIPMOS®
Le transistor MOSFET canal P de petit signal Infineon SIPMOS® présente plusieurs caractéristiques qui peuvent inclure le mode d'enrichissement, le courant continu débité pouvant être aussi faible que -80 A, ainsi qu'une large plage de températures d'utilisation. Le transistor de puissance SIPMOS peut être utilisé dans une grande variété d'applications, notamment les télécommunications, eMobility, les ordinateurs PC portables, les circuits c.c./c.c., ainsi que l'industrie automobile.
· Conforme AEC Q101 (veuillez vous référer à la fiche technique)
· Placage sans plomb, conforme à la directive RoHS
· Placage sans plomb, conforme à la directive RoHS
Transistors MOSFET, Infineon
Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de canal | P |
| Courant continu de Drain maximum | 170 mA |
| Tension Drain Source maximum | 60 V |
| Série | SIPMOS |
| Type de boîtier | SOT-23 |
| Type de montage | CMS |
| Nombre de broches | 3 |
| Résistance Drain Source maximum | 8 Ω |
| Mode de canal | Enrichissement |
| Tension de seuil maximale de la grille | 2V |
| Tension de seuil minimale de la grille | 1V |
| Dissipation de puissance maximum | 360 mW |
| Configuration du transistor | Simple |
| Tension Grille Source maximum | -20 V, +20 V |
| Température d'utilisation maximum | +150 °C |
| Longueur | 2.9mm |
| Charge de Grille type @ Vgs | 1 nC @ 10 V |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 |
| Largeur | 1.3mm |
| Matériau du transistor | Si |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C |
| Hauteur | 1mm |