Transistors MOSFET

Les MOSFET ((Metal Oxide Semicondutor Field Effect Transistor), également appelés transistor MOSFET, sont des transistors semiconducteurs en métal-oxyde à effet de champ. Les MOSFET sont des dispositifs de transistors qui sont commandés par un condensateur. L'effet de champ signifie qu'ils sont commandés par la tension. L'objectif d'un MOSFET est de commander le flux de le courant passant d'une électrode de source à une électrode de drain. Il fonctionne de manière très semblable à un commutateur et est utilisé pour la commutation ou l'amplification de signaux électroniques.

Ces dispositifs à semiconducteurs sont des circuits intégrés (CI) qui sont montés sur des circuits imprimés. Les transistors MOSFET sont fournis dans une large gamme de types de boîtier standard tels que : DPAK, D2PAK, DFN, I2PAK, SOIC, SOT-223 et TO-220.

Que sont les modes dappauvrissement et denrichissement ?

Les transistors MOSFET offrent deux modes: appauvrissement et enrichissement.Les transistors MOSFET à appauvrissement fonctionnent comme un interrupteur fermé. Le courant passe lorsqu'aucun courant n'est appliqué. Le flux de courant s'arrête si une tension négative est appliquée.Les transistors MOSFET à enrichissement sont similaires à une résistance variable et sont généralement plus populaire que les transistors MOSFET à appauvrissement. Ils sont fournis en variantes à canal N ou canal P.

Comment fonctionnent les MOSFET ?

Les électrodes sur un boîtier MOSFET sont la source, la grille et le drain. Lorsqu'une tension est appliquée entre les électrodes de grille et de source, le courant peut passer par l'électrode de drain vers l'électrode de source. Lorsque la tension appliquée à la grille change, la résistance entre le drain et la source change également. Plus la tension appliquée est faible, plus la résistance est élevée. A mesure que la tension augmente, la résistance entre le drain et la source diminue.Les transistors MOSFET de puissance sont similaires aux transistors MOSFET standard, mais sont conçus pour gérer un niveau de puissance plus élevé.

Transistors MOSFET à canal N par rapport à canal P

Les transistors MOFET sont fabriqués en silicium dopé de type P ou N.

  • Les transistors MOSFET à canal N contiennent des électrons supplémentaires qui sont libres de se déplacer. C'est le type de canal le plus populaire. Les transistors MOSFET à canal N fonctionnent lorsqu'une charge positive est appliquée à l'électrode de grille.
  • Le substrat des transistors MOSFET à canal P contient des électrons et des trous délectron. Les transistors MOSFET à canal P sont connectés à une tension positive. Ces transistors MOSFET s'activent lorsque la tension fournie à l'électrode de grille est inférieure à celle de la tension source.

Où sont utilisés les transistors MOSFET ?

Les transistors MOSFET sont présents dans de nombreuses applications, telles que les microprocesseurs et d'autres composants de mémoire. Les transistors MOSFET sont le plus couramment utilisés dans les circuits comme commutateurs commandés par la tension.


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Description Prix Type de canal Courant continu de Drain maximum Tension Drain Source maximum Type de boîtier Type de montage Nombre de broche Nombre de broches Résistance Drain Source maximum Mode de canal Tension de seuil maximale de la grille Tension de seuil minimale de la grille Dissipation de puissance maximum Configuration du transistor Tension Grille Source maximum
Code commande RS 178-0835
Référence fabricantIRF840APBF
MarqueVishay
1,207 €
l'unité (en tube de 50)
Unité
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Code commande RS 542-9440
Référence fabricantIRF840APBF
MarqueVishay
1,47 €
la pièce
Unité
N 8 A 500 V TO-220AB Traversant - 3 850 mΩ Enrichissement - 2V 125 W Simple -30 V, +30 V
Code commande RS 541-0862
Référence fabricantIRFP9240PBF
MarqueVishay
2,76 €
la pièce
Unité
P 12 A 200 V TO-247AC Traversant - 3 500 mΩ Enrichissement - 2V 150 W Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 178-0786
Référence fabricantIRFP9240PBF
MarqueVishay
2,137 €
l'unité (en tube de 25)
Unité
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Code commande RS 787-9222
Référence fabricantSI2333DDS-T1-GE3
MarqueVishay
0,283 €
l'unité (par multiple de 10)
Unité
P 6 A 12 V SOT-23 CMS - 3 19 Ω Enrichissement - 0.4V 1,7 W Simple -8 V, +8 V
Code commande RS 919-4220
Référence fabricantSI2333DDS-T1-GE3
MarqueVishay
0,123 €
l'unité (en bobine de 3000)
Unité
P 6 A 12 V SOT-23 CMS - 3 19 Ω Enrichissement - 0.4V 1,7 W Simple -8 V, +8 V
Code commande RS 178-0813
Référence fabricantIRLZ14PBF
MarqueVishay
0,625 €
l'unité (en tube de 50)
Unité
N 10 A 60 V TO-220AB Traversant - 3 200 mΩ Enrichissement - 1V 43 W Simple -10 V, +10 V
Code commande RS 541-0604
Référence fabricantIRLZ14PBF
MarqueVishay
0,74 €
la pièce
Unité
N 10 A 60 V TO-220AB Traversant - 3 200 mΩ Enrichissement - 1V 43 W Simple -10 V, +10 V
Code commande RS 178-0834
Référence fabricantIRF830APBF
MarqueVishay
0,981 €
l'unité (en tube de 50)
Unité
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Code commande RS 542-9434
Référence fabricantIRF830APBF
MarqueVishay
1,34 €
la pièce
Unité
N 5 A 500 V TO-220AB Traversant - 3 1,4 Ω Enrichissement - 2V 74 W Simple -30 V, +30 V
Code commande RS 541-0452
Référence fabricantIRF640PBF
MarqueVishay
1,186 €
l'unité (en tube de 50)
Unité
N 18 A 200 V TO-220AB Traversant - 3 180 mΩ Enrichissement - 2V 125 W Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 710-3345
Référence fabricantSI4559ADY-T1-GE3
MarqueVishay
1,348 €
l'unité (par multiple de 5)
Unité
N, P 3,9 A, 5,3 A 60 V SOIC CMS - 8 72 mΩ, 150 mΩ Enrichissement - 1V 3,1 W, 3,4 W Isolé -20 V, +20 V
Code commande RS 919-0297
Référence fabricantSI4559ADY-T1-GE3
MarqueVishay
0,593 €
l'unité (en bobine de 2500)
Unité
N, P 3,9 A, 5,3 A 60 V SOIC CMS - 8 72 mΩ, 150 mΩ Enrichissement - 1V 3,1 W, 3,4 W Isolé -20 V, +20 V
Code commande RS 301-338
Référence fabricantIRLD110PBF
MarqueVishay
0,81 €
l'unité (par multiple de 5)
Unité
N 1 A 100 V HVMDIP Traversant - 4 540 mΩ Enrichissement - 1V 1,3 W Simple -10 V, +10 V
Code commande RS 178-0913
Référence fabricantIRLD110PBF
MarqueVishay
0,578 €
l'unité (en tube de 100)
Unité
N 1 A 100 V HVMDIP Traversant - 4 540 mΩ Enrichissement - 1V 1,3 W Simple -10 V, +10 V
Code commande RS 178-0817
Référence fabricantIRF9640PBF
MarqueVishay
1,215 €
l'unité (en tube de 50)
Unité
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Code commande RS 787-9036
Référence fabricantSI2318CDS-T1-GE3
MarqueVishay
0,32 €
l'unité (par multiple de 20)
Unité
N 5,6 A 40 V SOT-23 CMS - 3 51 mΩ Enrichissement - 1.2V 2,1 W Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 541-1118
Référence fabricantIRF9640PBF
MarqueVishay
1,50 €
la pièce
Unité
P 11 A 200 V TO-220AB Traversant - 3 500 mΩ Enrichissement - 2V 125 W Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 541-0632
Référence fabricantIRLD024PBF
MarqueVishay
0,88 €
la pièce
Unité
N 2,5 A 60 V HVMDIP Traversant - 4 100 mΩ Enrichissement - 1V 1,3 W Simple -10 V, +10 V
Code commande RS 919-0250
Référence fabricantSI2301CDS-T1-GE3
MarqueVishay
0,154 €
l'unité (en bobine de 3000)
Unité
P 2,3 A 20 V SOT-23 CMS - 3 112 mΩ Enrichissement - 0.4V 860 mW Simple -8 V, +8 V