Transistors MOSFET

Les MOSFET ((Metal Oxide Semicondutor Field Effect Transistor), également appelés transistor MOSFET, sont des transistors semiconducteurs en métal-oxyde à effet de champ. Les MOSFET sont des dispositifs de transistors qui sont commandés par un condensateur. L'effet de champ signifie qu'ils sont commandés par la tension. L'objectif d'un MOSFET est de commander le flux de le courant passant d'une électrode de source à une électrode de drain. Il fonctionne de manière très semblable à un commutateur et est utilisé pour la commutation ou l'amplification de signaux électroniques.

Ces dispositifs à semiconducteurs sont des circuits intégrés (CI) qui sont montés sur des circuits imprimés. Les transistors MOSFET sont fournis dans une large gamme de types de boîtier standard tels que : DPAK, D2PAK, DFN, I2PAK, SOIC, SOT-223 et TO-220.

Que sont les modes dappauvrissement et denrichissement ?

Les transistors MOSFET offrent deux modes: appauvrissement et enrichissement.Les transistors MOSFET à appauvrissement fonctionnent comme un interrupteur fermé. Le courant passe lorsqu'aucun courant n'est appliqué. Le flux de courant s'arrête si une tension négative est appliquée.Les transistors MOSFET à enrichissement sont similaires à une résistance variable et sont généralement plus populaire que les transistors MOSFET à appauvrissement. Ils sont fournis en variantes à canal N ou canal P.

Comment fonctionnent les MOSFET ?

Les électrodes sur un boîtier MOSFET sont la source, la grille et le drain. Lorsqu'une tension est appliquée entre les électrodes de grille et de source, le courant peut passer par l'électrode de drain vers l'électrode de source. Lorsque la tension appliquée à la grille change, la résistance entre le drain et la source change également. Plus la tension appliquée est faible, plus la résistance est élevée. A mesure que la tension augmente, la résistance entre le drain et la source diminue.Les transistors MOSFET de puissance sont similaires aux transistors MOSFET standard, mais sont conçus pour gérer un niveau de puissance plus élevé.

Transistors MOSFET à canal N par rapport à canal P

Les transistors MOFET sont fabriqués en silicium dopé de type P ou N.

  • Les transistors MOSFET à canal N contiennent des électrons supplémentaires qui sont libres de se déplacer. C'est le type de canal le plus populaire. Les transistors MOSFET à canal N fonctionnent lorsqu'une charge positive est appliquée à l'électrode de grille.
  • Le substrat des transistors MOSFET à canal P contient des électrons et des trous délectron. Les transistors MOSFET à canal P sont connectés à une tension positive. Ces transistors MOSFET s'activent lorsque la tension fournie à l'électrode de grille est inférieure à celle de la tension source.

Où sont utilisés les transistors MOSFET ?

Les transistors MOSFET sont présents dans de nombreuses applications, telles que les microprocesseurs et d'autres composants de mémoire. Les transistors MOSFET sont le plus couramment utilisés dans les circuits comme commutateurs commandés par la tension.


...
En savoir plus Réduire

Filtres

Afficher 1 - 20 sur 349 produits
Nombre de résultats par page
Description Prix Type de canal Courant continu de Drain maximum Tension Drain Source maximum Type de boîtier Type de montage Nombre de broche Nombre de broches Résistance Drain Source maximum Mode de canal Tension de seuil maximale de la grille Tension de seuil minimale de la grille Dissipation de puissance maximum Configuration du transistor Tension Grille Source maximum
Code commande RS 796-5119
Référence fabricantTPC8128
MarqueToshiba
0,354 €
l'unité (par multiple de 5)
Unité
P 16 A 30 V SOP CMS - 8 6,9 mΩ Enrichissement 2V - 1,9 W Simple -25 V, +20 V
Code commande RS 168-7783
Référence fabricantTPC8128
MarqueToshiba
0,396 €
l'unité (en bobine de 3000)
Unité
P 16 A 30 V SOP CMS - 8 6,9 mΩ Enrichissement 2V - 1,9 W Simple -25 V, +20 V
Code commande RS 415-354
Référence fabricant2SK3878(F)
MarqueToshiba
2,815 €
l'unité (par multiple de 2)
Unité
N 9 A 900 V TO-3PN Traversant - 3 1,3 Ω Enrichissement 4V - 150 W Simple -30 V, +30 V
Code commande RS 796-5153
Référence fabricantTK9J90E
MarqueToshiba
2,13 €
la pièce
Unité
N 9 A 900 V TO-3PN Traversant - 3 1,3 Ω Enrichissement 4V - 250 W Simple -30 V, +30 V
Code commande RS 168-7789
Référence fabricantTK9J90E
MarqueToshiba
1,824 €
l'unité (en tube de 25)
Unité
N 9 A 900 V TO-3PN Traversant - 3 1,3 Ω Enrichissement 4V - 250 W Simple -30 V, +30 V
Code commande RS 796-5070
Référence fabricantTK100E10N1
MarqueToshiba
1,35 €
la pièce
Unité
N 207 A 100 V A-220 Traversant - 3 3,4 mΩ Enrichissement 4V - 255 W Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 168-7982
Référence fabricantTK40A10N1,S4X(S
MarqueToshiba
0,754 €
l'unité (en tube de 50)
Unité
N 40 A 100 V TO-220SIS Traversant - 3 8,2 mΩ Enrichissement 4V - 35 W Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 168-7770
Référence fabricantTK100E10N1
MarqueToshiba
1,106 €
l'unité (en tube de 50)
Unité
N 207 A 100 V A-220 Traversant - 3 3,4 mΩ Enrichissement 4V - 255 W Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 890-2686
Référence fabricant2SK3564,S5Q(J
MarqueToshiba
0,854 €
l'unité (par multiple de 5)
Unité
N 3 A 900 V SC-67 Traversant - 3 4,3 Ω Enrichissement 4V - 40 W Simple -30 V, +30 V
Code commande RS 168-7967
Référence fabricantTK30A06N1,S4X(S
MarqueToshiba
0,325 €
l'unité (en tube de 50)
Unité
N 30 A 60 V TO-220SIS Traversant - 3 15 mΩ Enrichissement 4V - 25 W Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 362-800
Référence fabricant2SK4002(Q)
MarqueToshiba
0,426 €
l'unité (par multiple de 5)
Unité
N 2 A 600 V PW moulé 2 Traversant - 3 5 Ω Enrichissement 4V - 20000 mW Simple -30 V, +30 V
Code commande RS 827-6179
Référence fabricantTK30A06N1,S4X(S
MarqueToshiba
0,378 €
l'unité (par multiple de 10)
Unité
N 30 A 60 V TO-220SIS Traversant - 3 15 mΩ Enrichissement 4V - 25 W Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 827-6227
Référence fabricantTK40A10N1,S4X(S
MarqueToshiba
0,858 €
l'unité (par multiple de 5)
Unité
N 40 A 100 V TO-220SIS Traversant - 3 8,2 mΩ Enrichissement 4V - 35 W Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 896-2379
Référence fabricantTK40A10N1,S4X(S
MarqueToshiba
0,794 €
l'unité (par multiple de 5)
Unité
N 40 A 100 V TO-220SIS Traversant - 3 8,2 mΩ Enrichissement 4V - 35 W Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 896-2401
Référence fabricantTK58A06N1,S4X(S
MarqueToshiba
0,528 €
l'unité (par multiple de 5)
Unité
N 58 A 60 V TO-220SIS Traversant - 3 5,4 mΩ Enrichissement 4V - 35 W Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 760-3132
Référence fabricant2SK3074(TE12L,F)
MarqueToshiba
2,56 €
la pièce
Unité
N 1 A 30 V PW mini CMS - 3 - Enrichissement 2.4V - 3 W Simple +25 V
Code commande RS 891-2869
Référence fabricantTK10A60W,S5VX(J
MarqueToshiba
0,874 €
l'unité (par multiple de 5)
Unité
N 9,7 A 600 V TO-220SIS Traversant - 3 380 mΩ Enrichissement 3.7V - 30 W Simple -30 V, +30 V
Code commande RS 415-174
Référence fabricant2SJ668(TE16L,NQ)
MarqueToshiba
0,596 €
l'unité (par multiple de 10)
Unité
P 5 A 60 V PW moulé CMS - 3 170 mΩ Enrichissement 2V - 20 W Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 168-7406
Référence fabricant2SK3074(TE12L,F)
MarqueToshiba
1,451 €
l'unité (en bobine de 1000)
Unité
N 1 A 30 V PW mini CMS - 3 - Enrichissement 2.4V - 3 W Simple +25 V
Code commande RS 168-7988
Référence fabricantTK58A06N1,S4X(S
MarqueToshiba
0,386 €
l'unité (en tube de 50)
Unité
N 58 A 60 V TO-220SIS Traversant - 3 5,4 mΩ Enrichissement 4V - 35 W Simple -20 V, +20 V