Transistors MOSFET

Les MOSFET, également appelés transistors MOSFET, sont des transistors semiconducteurs en métal-oxyde à effet de champ. Les MOSFET sont des dispositifs de transistors qui sont commandés par un condensateur. L'effet de champ signifie qu'ils sont commandés par la tension. L'objectif d'un transistor MOSFET est de commander le flux de le courant passant d'une électrode de source à une électrode de drain. Il fonctionne de manière très semblable à un commutateur et est utilisé pour la commutation ou l'amplification de signaux électroniques.


Ces dispositifs à semiconducteurs sont des circuits intégrés (CI) qui sont montés sur des circuits imprimés. Les transistors MOSFET sont fournis dans une large gamme de types de boîtier standard tels que : DPAK, D2PAK, DFN, I2PAK, SOIC, SOT-223 et TO-220.


Que sont les modes d’appauvrissement et d’enrichissement ?


Les transistors MOSFET offrent deux modes : appauvrissement et enrichissement.
Les transistors MOSFET à appauvrissement fonctionnent comme un interrupteur fermé. Le courant passe lorsqu'aucun courant n'est appliqué. Le flux de courant s'arrête si une tension négative est appliquée.
Les transistors MOSFET à enrichissement sont similaires à une résistance variable et sont généralement plus populaire que les transistors MOSFET à appauvrissement. Ils sont fournis en variantes à canal N ou canal P.


Comment fonctionnent les transistors MOSFET ?


Les électrodes sur un boîtier MOSFET sont la source, la grille et le drain. Lorsqu'une tension est appliquée entre les électrodes de grille et de source, le courant peut passer par l'électrode de drain vers l'électrode de source. Lorsque la tension appliquée à la grille change, la résistance entre le drain et la source change également. Plus la tension appliquée est faible, plus la résistance est élevée. A mesure que la tension augmente, la résistance entre le drain et la source diminue.
Les transistors MOSFET de puissance sont similaires aux transistors MOSFET standard, mais sont conçus pour gérer un niveau de puissance plus élevé.


Transistors MOSFET à canal N par rapport à canal P


Les transistors MOFET sont fabriqués en silicium dopé de type P ou N.


Les transistors MOSFET à

  • canal N contiennent des électrons supplémentaires qui sont libres de se déplacer. C'est le type de canal le plus populaire. Les transistors MOSFET à canal N fonctionnent lorsqu'une charge positive est appliquée à l'électrode de grille.


  • Le substrat des transistors MOSFET à

  • canal P contient des électrons et des trous d’électron. Les transistors MOSFET à canal P sont connectés à une tension positive. Ces transistors MOSFET s'activent lorsque la tension fournie à l'électrode de grille est inférieure à celle de la tension source.

Où sont utilisés les transistors MOSFET ?


Les transistors MOSFET sont présents dans de nombreuses applications, telles que les microprocesseurs et d'autres composants de mémoire. Les transistors MOSFET sont le plus couramment utilisés dans les circuits comme commutateurs commandés par la tension.



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Description Prix Type de canal Courant continu de Drain maximum Tension Drain Source maximum Résistance Drain Source maximum Tension de seuil maximale de la grille Tension de seuil minimale de la grille Tension Grille Source maximum Type de boîtier Type de montage Configuration du transistor Nombre de broche Mode de canal Dissipation de puissance maximum Charge de Grille type @ Vgs
Code commande RS 169-9287
Référence fabricantTSM2312CX RFG
0,077 €
l'unité (en bobine de 3000)
Unité
N 4,9 A 20 V 51 mΩ 1V - -8 V, +8 V SOT-23 CMS Simple 3 Enrichissement 750 mW 11 nC @ 4,5 V
Code commande RS 743-6059
Référence fabricantTSM2312CX RFG
0,084 €
l'unité (par multiple de 10)
Unité
N 4.9 A 20 V 51 mΩ 1V - -8 V, +8 V SOT-23 CMS Simple 3 Enrichissement 750 mW 11 nC @ 4,5 V
Code commande RS 743-6065
Référence fabricantTSM2318CX RFG
0,322 €
l'unité (par multiple de 10)
Unité
N 3.9 A 40 V 62 mΩ 3V - -20 V, +20 V SOT-23 CMS Simple 3 Enrichissement 1.25 W 10 nC @ 10 V
Code commande RS 398-423
Référence fabricantTSM2302CX RFG
0,125 €
l'unité (par multiple de 50)
Unité
N 2,8 A 20 V 65 mΩ 1.2V - -8 V, +8 V SOT-23 CMS Simple 3 Enrichissement 900 mW 3,69 nC @ 4,5 V
Code commande RS 169-8935
Référence fabricantTSM2302CX RFG
0,113 €
l'unité (en bobine de 3000)
Unité
N 2,8 A 20 V 65 mΩ 1.2V - -8 V, +8 V SOT-23 CMS Simple 3 Enrichissement 900 mW 3,69 nC @ 4,5 V
Code commande RS 169-9284
Référence fabricantTSM3457CX6 RFG
0,17 €
l'unité (en bobine de 3000)
Unité
P 5 A 30 V 100 mΩ 3V - -20 V, +20 V SOT-26 CMS Simple 6 Enrichissement 2 W 9,52 nC @ 10 V
Code commande RS 169-9285
Référence fabricantTSM2310CX RFG
0,147 €
l'unité (en bobine de 3000)
Unité
N 4 A 20 V 100 mΩ 1.2V - -12 V, +12 V SOT-23 CMS Simple 3 Enrichissement 1,25 W 8,6 nC @ 10 V
Code commande RS 146-2235
Référence fabricantTSM6968DCA RVG
0,164 €
l'unité (en bobine de 3000)
Unité
N 6,5 A 20 V 22 mΩ 1V - -12 V, +12 V TSSOP CMS Drain commun 8 Enrichissement 1,04 W 15 nC @ 4,5 V
Code commande RS 743-6052
Référence fabricantTSM2310CX RFG
0,161 €
l'unité (par multiple de 10)
Unité
N 4 A 20 V 100 mΩ 1.2V - -12 V, +12 V SOT-23 CMS Simple 3 Enrichissement 1.25 W 8,6 nC @ 10 V
Code commande RS 743-6049
Référence fabricantTSM3457CX6 RFG
0,323 €
l'unité (par multiple de 10)
Unité
P 5 A 30 V 100 mΩ 3V - -20 V, +20 V SOT-26 CMS Simple 6 Enrichissement 2 W 9,52 nC @ 10 V
Code commande RS 398-449
Référence fabricantTSM6968DCA RVG
0,168 €
l'unité (par multiple de 50)
Unité
N 6,5 A 20 V 22 mΩ 1V - -12 V, +12 V TSSOP CMS Drain commun 8 Enrichissement 1,04 W 15 nC @ 4,5 V
Code commande RS 171-3653
Référence fabricantTSM70N600CI C0G
2,42 €
l'unité (par multiple de 5)
Unité
N 8 A 700 V 600 mΩ 4V 2V ±30 V ITO-220 Traversant Simple 3 Enrichissement 32 W 12,6 nC @ 10 V
Code commande RS 171-3697
Référence fabricantTSM2308CX RFG
0,51 €
l'unité (par multiple de 50)
Unité
N 3 A 60 V 192 mΩ 2.5V 1.2V ±20 V SOT-23 CMS Simple 3 Enrichissement 1,25 W 3,99 nC @ 4,5 V
Code commande RS 171-3659
Référence fabricantTSM090N03CP ROG
0,65 €
l'unité (par multiple de 25)
Unité
N 55 A 30 V 13 mΩ 2.5V 1V ±20 V TO-252 CMS Simple 3 + Tab Enrichissement 40 W 7,5 nC @ 4,5 V
Code commande RS 171-3655
Référence fabricantTSM70N600CP ROG
1,205 €
l'unité (par multiple de 10)
Unité
N 8 A 700 V 600 mΩ 4V 2V ±30 V TO-252 CMS Simple 3 + Tab Enrichissement 83 W 12,6 nC @ 10 V
Code commande RS 171-3623
Référence fabricantTSM4806CS RLG
0,157 €
l'unité (en bobine de 2500)
Unité
N 28 A 20 V 31 mΩ 1V 0.3V ±8 V SOP CMS Simple 8 Enrichissement 2 W 12,3 nC @ 4,5 V
Code commande RS 171-3699
Référence fabricantTSM70N380CI C0G
1,60 €
l'unité (par multiple de 5)
Unité
N 11 A 700 V 380 mΩ 4V 2V ±30 V ITO-220 Traversant Simple 3 Enrichissement 33 W 18,8 nC @ 10 V
Code commande RS 171-3673
Référence fabricantTSM7N90CZ C0G
1,926 €
l'unité (par multiple de 5)
Unité
N 7 A 900 V 1,9 Ω 4V 2V ±30 V A-220 Traversant Simple 3 Enrichissement 250 W 49 nC @ 10 V
Code commande RS 171-3703
Référence fabricantTSM230N06CP ROG
0,68 €
l'unité (par multiple de 25)
Unité
N 50 A 60 V 28 mΩ 2.5V 1.2V ±20 V TO-252 CMS Simple 3 + Tab Enrichissement 53 W 28 nC @ 10 V
Code commande RS 171-3640
Référence fabricantTSM7N90CI C0G
1,864 €
l'unité (en bobine de 1000)
Unité
N 7 A 900 V 1,9 Ω 4V 2V ±30 V ITO-220 Traversant Simple 3 Enrichissement 40,3 W 49 nC @ 10 V