Transistors MOSFET

Les MOSFET ((Metal Oxide Semicondutor Field Effect Transistor), également appelés transistor MOSFET, sont des transistors semiconducteurs en métal-oxyde à effet de champ. Les MOSFET sont des dispositifs de transistors qui sont commandés par un condensateur. L'effet de champ signifie qu'ils sont commandés par la tension. L'objectif d'un MOSFET est de commander le flux de le courant passant d'une électrode de source à une électrode de drain. Il fonctionne de manière très semblable à un commutateur et est utilisé pour la commutation ou l'amplification de signaux électroniques.

Ces dispositifs à semiconducteurs sont des circuits intégrés (CI) qui sont montés sur des circuits imprimés. Les transistors MOSFET sont fournis dans une large gamme de types de boîtier standard tels que : DPAK, D2PAK, DFN, I2PAK, SOIC, SOT-223 et TO-220.

Que sont les modes dappauvrissement et denrichissement ?

Les transistors MOSFET offrent deux modes: appauvrissement et enrichissement.Les transistors MOSFET à appauvrissement fonctionnent comme un interrupteur fermé. Le courant passe lorsqu'aucun courant n'est appliqué. Le flux de courant s'arrête si une tension négative est appliquée.Les transistors MOSFET à enrichissement sont similaires à une résistance variable et sont généralement plus populaire que les transistors MOSFET à appauvrissement. Ils sont fournis en variantes à canal N ou canal P.

Comment fonctionnent les MOSFET ?

Les électrodes sur un boîtier MOSFET sont la source, la grille et le drain. Lorsqu'une tension est appliquée entre les électrodes de grille et de source, le courant peut passer par l'électrode de drain vers l'électrode de source. Lorsque la tension appliquée à la grille change, la résistance entre le drain et la source change également. Plus la tension appliquée est faible, plus la résistance est élevée. A mesure que la tension augmente, la résistance entre le drain et la source diminue.Les transistors MOSFET de puissance sont similaires aux transistors MOSFET standard, mais sont conçus pour gérer un niveau de puissance plus élevé.

Transistors MOSFET à canal N par rapport à canal P

Les transistors MOFET sont fabriqués en silicium dopé de type P ou N.

  • Les transistors MOSFET à canal N contiennent des électrons supplémentaires qui sont libres de se déplacer. C'est le type de canal le plus populaire. Les transistors MOSFET à canal N fonctionnent lorsqu'une charge positive est appliquée à l'électrode de grille.
  • Le substrat des transistors MOSFET à canal P contient des électrons et des trous délectron. Les transistors MOSFET à canal P sont connectés à une tension positive. Ces transistors MOSFET s'activent lorsque la tension fournie à l'électrode de grille est inférieure à celle de la tension source.

Où sont utilisés les transistors MOSFET ?

Les transistors MOSFET sont présents dans de nombreuses applications, telles que les microprocesseurs et d'autres composants de mémoire. Les transistors MOSFET sont le plus couramment utilisés dans les circuits comme commutateurs commandés par la tension.


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Description Prix Type de canal Courant continu de Drain maximum Tension Drain Source maximum Type de boîtier Type de montage Nombre de broche Nombre de broches Résistance Drain Source maximum Mode de canal Tension de seuil maximale de la grille Tension de seuil minimale de la grille Dissipation de puissance maximum Configuration du transistor Tension Grille Source maximum
Code commande RS 169-9287
Référence fabricantTSM2312CX RFG
0,172 €
l'unité (en bobine de 3000)
Unité
N 4,9 A 20 V SOT-23 CMS - 3 51 mΩ Enrichissement 1V - 750 mW Simple -8 V, +8 V
Code commande RS 743-6059
Référence fabricantTSM2312CX RFG
0,391 €
l'unité (par multiple de 10)
Unité
N 4.9 A 20 V SOT-23 CMS 3 - 51 mΩ Enrichissement 1V - 750 mW Simple -8 V, +8 V
Code commande RS 743-6065
Référence fabricantTSM2318CX RFG
0,322 €
l'unité (par multiple de 10)
Unité
N 3.9 A 40 V SOT-23 CMS 3 - 62 mΩ Enrichissement 3V - 1.25 W Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 398-423
Référence fabricantTSM2302CX RFG
0,303 €
l'unité (par multiple de 50)
Unité
N 2,8 A 20 V SOT-23 CMS 3 - 65 mΩ Enrichissement 1.2V - 900 mW Simple -8 V, +8 V
Code commande RS 169-8935
Référence fabricantTSM2302CX RFG
0,106 €
l'unité (en bobine de 3000)
Unité
N 2,8 A 20 V SOT-23 CMS - 3 65 mΩ Enrichissement 1.2V - 900 mW Simple -8 V, +8 V
Code commande RS 146-2235
Référence fabricantTSM6968DCA RVG
0,321 €
l'unité (en bobine de 3000)
Unité
N 6,5 A 20 V TSSOP CMS 8 - 22 mΩ Enrichissement 1V - 1,04 W Drain commun -12 V, +12 V
Code commande RS 169-9284
Référence fabricantTSM3457CX6 RFG
0,228 €
l'unité (en bobine de 3000)
Unité
P 5 A 30 V SOT-26 CMS - 6 100 mΩ Enrichissement 3V - 2 W Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 398-449
Référence fabricantTSM6968DCA RVG
0,653 €
l'unité (par multiple de 50)
Unité
N 6,5 A 20 V TSSOP CMS 8 - 22 mΩ Enrichissement 1V - 1,04 W Drain commun -12 V, +12 V
Code commande RS 743-6052
Référence fabricantTSM2310CX RFG
0,168 €
l'unité (par multiple de 10)
Unité
N 4 A 20 V SOT-23 CMS 3 - 100 mΩ Enrichissement 1.2V - 1.25 W Simple -12 V, +12 V
Code commande RS 169-9285
Référence fabricantTSM2310CX RFG
0,106 €
l'unité (en bobine de 3000)
Unité
N 4 A 20 V SOT-23 CMS - 3 100 mΩ Enrichissement 1.2V - 1,25 W Simple -12 V, +12 V
Code commande RS 743-6049
Référence fabricantTSM3457CX6 RFG
0,614 €
l'unité (par multiple de 10)
Unité
P 5 A 30 V SOT-26 CMS 6 - 100 mΩ Enrichissement 3V - 2 W Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 171-3608
Référence fabricantTSM090N03CP ROG
0,353 €
l'unité (en bobine de 2500)
Unité
N 55 A 30 V TO-252 CMS 3 + Tab - 13 mΩ Enrichissement 2.5V 1V 40 W Simple ±20 V
Code commande RS 171-3695
Référence fabricantTSM70N1R4CP ROG
0,665 €
l'unité (par multiple de 10)
Unité
N 3,3 A 700 V TO-252 CMS 3 + Tab - 1,4 Ω Enrichissement 4V 2V 38 W Simple ±30 V
Code commande RS 171-3613
Référence fabricantTSM1NB60CH C5G
0,405 €
l'unité (en bobine de 1875)
Unité
N 1 A 600 V TO-251 Traversant 3 - 10 Ω Enrichissement 4.5V 2.5V 39 W Simple ±30 V
Code commande RS 171-3638
Référence fabricantTSM70N600CP ROG
1,095 €
l'unité (en bobine de 2500)
Unité
N 8 A 700 V TO-252 CMS 3 + Tab - 600 mΩ Enrichissement 4V 2V 83 W Simple ±30 V
Code commande RS 171-3699
Référence fabricantTSM70N380CI C0G
4,022 €
l'unité (par multiple de 5)
Unité
N 11 A 700 V ITO-220 Traversant 3 - 380 mΩ Enrichissement 4V 2V 33 W Simple ±30 V
Code commande RS 169-9282
Référence fabricantTSM2307CX RFG
0,149 €
l'unité (en bobine de 3000)
Unité
P 3 A 30 V SOT-23 CMS - 3 140 mΩ Enrichissement 3V - 1,25 W Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 171-3659
Référence fabricantTSM090N03CP ROG
0,879 €
l'unité (par multiple de 25)
Unité
N 55 A 30 V TO-252 CMS 3 + Tab - 13 mΩ Enrichissement 2.5V 1V 40 W Simple ±20 V
Code commande RS 171-3669
Référence fabricantTSM60NB600CI C0G
1,292 €
l'unité (par multiple de 10)
Unité
N 8 A 600 V ITO-220S Traversant 3 - 600 mΩ Enrichissement 4V 2V 32 W Simple ±30 V
Code commande RS 171-3614
Référence fabricantTSM2303CX RFG
0,06 €
l'unité (en bobine de 3000)
Unité
P 1,3 A 30 V SOT-23 CMS 3 - 300 mΩ Enrichissement 3V 1V 700 mW Simple ±20 V