Jonction au silicium Non onsemi, Cathode commune, 6 A 200 V, 3 broches, TO-252
- Code commande RS:
- 463-555
- Référence fabricant:
- MURD620CTT4G
- Marque:
- onsemi
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- Code commande RS:
- 463-555
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- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | Jonction au silicium | |
| Courant direct maximum If | 6A | |
| Configuration de diode | Cathode commune | |
| Sous type | Jonction au silicium | |
| Type de montage | En surface | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Tension inverse de crête répétitive Vrrm | 200V | |
| Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm | 50A | |
| Température minimum de fonctionnement | -65°C | |
| Tension directe maximale Vf | 1.2V | |
| Temps de recouvrement inverse crête trr | 35ns | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Longueur | 6.73mm | |
| Hauteur | 2.38mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit Jonction au silicium | ||
Courant direct maximum If 6A | ||
Configuration de diode Cathode commune | ||
Sous type Jonction au silicium | ||
Type de montage En surface | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Nombre de broches 3 | ||
Tension inverse de crête répétitive Vrrm 200V | ||
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm 50A | ||
Température minimum de fonctionnement -65°C | ||
Tension directe maximale Vf 1.2V | ||
Temps de recouvrement inverse crête trr 35ns | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Longueur 6.73mm | ||
Hauteur 2.38mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
Diodes de redressement, 4 à 9 A, ON Semiconductor
Standards
Les produits dont le préfixe de la référence fabricant commence par NSV- ou S- sont certifiés AEC-Q101 pour l'automobile.
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