Jonction au silicium Non Vishay, Simple, 1 A 200 V, 2 broches, DO-204AL
- Code commande RS:
- 170-8324
- Référence fabricant:
- RGP10DE-E3/73
- Marque:
- Vishay
Sous-total (1 ruban de 5500 unités)*
858,00 €
HT
1 028,50 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 15 mai 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le ruban* |
|---|---|---|
| 5500 + | 0,156 € | 858,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 170-8324
- Référence fabricant:
- RGP10DE-E3/73
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Courant direct maximum If | 1A | |
| Type de produit | Jonction au silicium | |
| Configuration de diode | Simple | |
| Type de montage | Traversant | |
| Sous type | Jonction au silicium | |
| Type de Boitier | DO-204AL | |
| Nombre de broches | 2 | |
| Température minimum de fonctionnement | -65°C | |
| Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm | 30A | |
| Tension inverse de crête répétitive Vrrm | 200V | |
| Tension directe maximale Vf | 1.3V | |
| Temps de recouvrement inverse crête trr | 150ns | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Hauteur | 2.7mm | |
| Longueur | 5.2mm | |
| Diamètre | 2.7 mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 2.7 mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Courant direct maximum If 1A | ||
Type de produit Jonction au silicium | ||
Configuration de diode Simple | ||
Type de montage Traversant | ||
Sous type Jonction au silicium | ||
Type de Boitier DO-204AL | ||
Nombre de broches 2 | ||
Température minimum de fonctionnement -65°C | ||
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm 30A | ||
Tension inverse de crête répétitive Vrrm 200V | ||
Tension directe maximale Vf 1.3V | ||
Temps de recouvrement inverse crête trr 150ns | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Hauteur 2.7mm | ||
Longueur 5.2mm | ||
Diamètre 2.7 mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 2.7 mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Redresseurs à récupération rapide 1 A, Vishay Semiconductor
Diodes de puissance polyvalentes à récupération rapide et très efficaces dans des formats de boîtier standard.
Bas profil avec hauteur de 1 mm
Redresseur avalanche
Diodes et redresseurs, Vishay Semiconductor
Nos clients ont également consulté
- Jonction au silicium Non Vishay 1 A 200 V DO-204AL
- Jonction au silicium Non Vishay 1 A 400 V DO-204AL
- Jonction au silicium Non Vishay 1 A 1 kV DO-204AL
- Diode de commutation Vishay 2 broches, DO-204AL
- Diode Zener Traversant dissip. ≤ 1.5 W 5 % DO-204AL 2 broches
- Diode Zener Traversant dissip. ≤ 1.5 W 5 % DO-204AL 2 broches
- Jonction au silicium Non Vishay 2 A 200 V DO-214AA
- Jonction au silicium Non Vishay 3 A 50 V DO-214AA
