Schottky SiC Non Power Integrations, Simple, 12 A 600 V, 2 broches, TO-220
- Code commande RS:
- 231-8074P
- Référence fabricant:
- QH12TZ600Q
- Marque:
- Power Integrations
Actuellement indisponible
Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.
- Code commande RS:
- 231-8074P
- Référence fabricant:
- QH12TZ600Q
- Marque:
- Power Integrations
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Power Integrations | |
| Configuration de diode | Simple | |
| Courant direct maximum If | 12A | |
| Type de produit | Schottky SiC | |
| Sous type | Schottky SiC | |
| Type de montage | Traversant | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Nombre de broches | 2 | |
| Temps de recouvrement inverse crête trr | 20.5ns | |
| Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm | 100A | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 61mW | |
| Tension inverse de crête répétitive Vrrm | 600V | |
| Tension directe maximale Vf | 3.1V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 10.67mm | |
| Hauteur | 30.73mm | |
| Largeur | 4.7mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Power Integrations | ||
Configuration de diode Simple | ||
Courant direct maximum If 12A | ||
Type de produit Schottky SiC | ||
Sous type Schottky SiC | ||
Type de montage Traversant | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Nombre de broches 2 | ||
Temps de recouvrement inverse crête trr 20.5ns | ||
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm 100A | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 61mW | ||
Tension inverse de crête répétitive Vrrm 600V | ||
Tension directe maximale Vf 3.1V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 10.67mm | ||
Hauteur 30.73mm | ||
Largeur 4.7mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
La diode de remplacement SiC QSPEED série H Power Integrations est dotée du QRR le plus faible de toute diode silicium de 600 V. Ses caractéristiques de récupération augmentent le rendement, réduisent les IEM et éliminent les snubbers. Il remplace les diodes SiC pour des performances de rendement similaires dans les applications à haute fréquence de commutation.
Caractéristiques et avantages
Faible QRR, faible IRRM, faible TRR
Haute capacité dIF/dt (1 000 A/μs)
Récupération souple
Certifié AEC-Q101
FAB, assemblage et test certifiés IATF 16949
Elimine le besoin de circuits snubber
Réduit la taille et le nombre de composants du filtre IEM
Permet une commutation extrêmement rapide
Applications
Diode boost de correction du facteur de puissance dans le chargeur intégré
Redresseur de sortie de chargeur intégré