- Code commande RS:
- 231-8074P
- Référence fabricant:
- QH12TZ600Q
- Marque:
- Power Integrations
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Uniquement disponible en livraison standard
Ajouté
Prix pour l'unité (conditionné en tube)
1,286 €
HT
1,543 €
TTC
Unité | Prix par unité |
10 - 10 | 1,286 € |
15 - 15 | 1,252 € |
20 - 20 | 1,22 € |
25 + | 1,19 € |
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- 231-8074P
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- QH12TZ600Q
- Marque:
- Power Integrations
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
La diode de remplacement SiC QSPEED série H Power Integrations est dotée du QRR le plus faible de toute diode silicium de 600 V. Ses caractéristiques de récupération augmentent le rendement, réduisent les IEM et éliminent les snubbers. Il remplace les diodes SiC pour des performances de rendement similaires dans les applications à haute fréquence de commutation.
Caractéristiques et avantages
Faible QRR, faible IRRM, faible TRR
Haute capacité dIF/dt (1 000 A/μs)
Récupération souple
Certifié AEC-Q101
FAB, assemblage et test certifiés IATF 16949
Elimine le besoin de circuits snubber
Réduit la taille et le nombre de composants du filtre IEM
Permet une commutation extrêmement rapide
Haute capacité dIF/dt (1 000 A/μs)
Récupération souple
Certifié AEC-Q101
FAB, assemblage et test certifiés IATF 16949
Elimine le besoin de circuits snubber
Réduit la taille et le nombre de composants du filtre IEM
Permet une commutation extrêmement rapide
Applications
Diode boost de correction du facteur de puissance dans le chargeur intégré
Redresseur de sortie de chargeur intégré
Redresseur de sortie de chargeur intégré
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
---|---|
Configuration de diode | Simple |
Courant direct maximum | 12A |
Type de montage | Traversant |
Nombre d'éléments par circuit | 1 |
Tension inverse maximum | 600V |
Type de boîtier | TO-220AC |
Technologie de diode | Schottky SiC |
Nombre de broches | 2 |
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- 231-8074P
- Référence fabricant:
- QH12TZ600Q
- Marque:
- Power Integrations