Jonction au silicium Non Nexperia, Simple, 215 mA 100 V, 2 broches, SOD-123
- Code commande RS:
- 725-8688
- Référence fabricant:
- BAS16H,115
- Marque:
- Nexperia
Prix dégressifs sur quantité
Sous-total (1 paquet de 100 unités)*
6,10 €
HT
7,30 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- 6 300 unité(s) expédiée(s) à partir du 09 mars 2026
- Plus 1 200 unité(s) expédiée(s) à partir du 16 mars 2026
- Plus 6 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 27 mai 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 100 - 100 | 0,061 € | 6,10 € |
| 200 - 400 | 0,055 € | 5,50 € |
| 500 + | 0,049 € | 4,90 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 725-8688
- Référence fabricant:
- BAS16H,115
- Marque:
- Nexperia
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Nexperia | |
| Type de produit | Jonction au silicium | |
| Configuration de diode | Simple | |
| Courant direct maximum If | 215mA | |
| Sous type | Jonction au silicium | |
| Type de montage | Surface | |
| Type de Boitier | SOD-123 | |
| Nombre de broches | 2 | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 380mW | |
| Tension inverse de crête répétitive Vrrm | 100V | |
| Tension directe maximale Vf | 1.25V | |
| Temps de recouvrement inverse crête trr | 4ns | |
| Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm | 4A | |
| Température minimum de fonctionnement | -65°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 1.7 mm | |
| Longueur | 2.7mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Série | BAS16 | |
| Hauteur | 1.2mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Nexperia | ||
Type de produit Jonction au silicium | ||
Configuration de diode Simple | ||
Courant direct maximum If 215mA | ||
Sous type Jonction au silicium | ||
Type de montage Surface | ||
Type de Boitier SOD-123 | ||
Nombre de broches 2 | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 380mW | ||
Tension inverse de crête répétitive Vrrm 100V | ||
Tension directe maximale Vf 1.25V | ||
Temps de recouvrement inverse crête trr 4ns | ||
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm 4A | ||
Température minimum de fonctionnement -65°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 1.7 mm | ||
Longueur 2.7mm | ||
Normes/homologations No | ||
Série BAS16 | ||
Hauteur 1.2mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Diodes de commutation petits signaux, Nexperia
Caractéristiques
Prend en charge les conceptions personnalisées de circuits à haute densité
Types à faible fuite et haute tension disponibles
Grandes vitesses de commutation
Capacité faible
