Jonction au silicium Non Taiwan Semiconductor, Simple, 1 A 600 V, 2 broches, Sub SMA
- Code commande RS:
- 748-5146
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-45-912
- Référence fabricant:
- S1JL R2
- Marque:
- Taiwan Semiconductor
Sous-total (1 paquet de 50 unités)*
3,25 €
HT
3,90 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- 31 200 unité(s) expédiée(s) à partir du 03 avril 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 50 + | 0,065 € | 3,25 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 748-5146
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-45-912
- Référence fabricant:
- S1JL R2
- Marque:
- Taiwan Semiconductor
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Taiwan Semiconductor | |
| Courant direct maximum If | 1A | |
| Type de produit | Jonction au silicium | |
| Configuration de diode | Simple | |
| Sous type | Jonction au silicium | |
| Type de montage | Surface | |
| Type de Boitier | Sub SMA | |
| Nombre de broches | 2 | |
| Tension inverse de crête répétitive Vrrm | 600V | |
| Tension directe maximale Vf | 1.1V | |
| Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm | 30A | |
| Temps de recouvrement inverse crête trr | 1.8μs | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 1.9 mm | |
| Longueur | 2.9mm | |
| Hauteur | 1.43mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Taiwan Semiconductor | ||
Courant direct maximum If 1A | ||
Type de produit Jonction au silicium | ||
Configuration de diode Simple | ||
Sous type Jonction au silicium | ||
Type de montage Surface | ||
Type de Boitier Sub SMA | ||
Nombre de broches 2 | ||
Tension inverse de crête répétitive Vrrm 600V | ||
Tension directe maximale Vf 1.1V | ||
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm 30A | ||
Temps de recouvrement inverse crête trr 1.8μs | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 1.9 mm | ||
Longueur 2.9mm | ||
Hauteur 1.43mm | ||
Standard automobile Non | ||
Diodes de redressement, 1,5 à 2 A, Taiwan Semiconductor
Diodes et redresseurs, Taiwan Semiconductor
Nos clients ont également consulté
- Jonction au silicium Non Taiwan Semiconductor 1 A 600 V Sub SMA
- Jonction au silicium Non Taiwan Semiconductor 0.8 A 600 V Sub SMA
- Jonction au silicium Non Taiwan Semiconductor 1 A 200 V Sub SMA
- Jonction au silicium Non Taiwan Semiconductor 0.8 A 200 V Sub SMA
- Jonction au silicium Non Taiwan Semiconductor 0.8 A 400 V Sub SMA
- Jonction au silicium Non Taiwan Semiconductor 0.5 A 800 V Sub SMA
- Jonction au silicium Non Taiwan Semiconductor 0.5 A 400 V Sub SMA
- Jonction au silicium Non Taiwan Semiconductor 0.5 A 200 V Sub SMA