Jonction au silicium Non onsemi, Simple, 1 A 1 kV, 2 broches, DO-41

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774-3600
Référence fabricant:
MUR1100EG
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Type de produit

Jonction au silicium

Configuration de diode

Simple

Courant direct maximum If

1A

Type de montage

Traversant

Sous type

Jonction au silicium

Type de Boitier

DO-41

Nombre de broches

2

Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm

35A

Température minimum de fonctionnement

-65°C

Tension directe maximale Vf

1.75V

Tension inverse de crête répétitive Vrrm

1kV

Temps de recouvrement inverse crête trr

100ns

Température d'utilisation maximum

175°C

Largeur

2.7 mm

Longueur

5.2mm

Diamètre

2.7 mm

Normes/homologations

No

Hauteur

5.2mm

Standard automobile

Non

Diodes de redressement, 1 à 1,5 A, ON Semiconductor


Standards

Les produits dont le préfixe de la référence fabricant commence par NSV- ou S- sont certifiés AEC-Q101 pour l'automobile.

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