Jonction au silicium Non STMicroelectronics, Simple, 1.5 A 200 V, 2 broches, DO-15
- Code commande RS:
- 795-8593
- Référence fabricant:
- STTH1R02Q
- Marque:
- STMicroelectronics
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 25 unités)*
5,275 €
HT
6,325 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- 475 unité(s) expédiée(s) à partir du 23 juillet 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 25 - 225 | 0,211 € | 5,28 € |
| 250 - 1225 | 0,132 € | 3,30 € |
| 1250 - 2475 | 0,10 € | 2,50 € |
| 2500 + | 0,09 € | 2,25 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 795-8593
- Référence fabricant:
- STTH1R02Q
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Configuration de diode | Simple | |
| Type de produit | Jonction au silicium | |
| Courant direct maximum If | 1.5A | |
| Type de montage | Traversant | |
| Sous type | Jonction au silicium | |
| Type de Boitier | DO-15 | |
| Nombre de broches | 2 | |
| Temps de recouvrement inverse crête trr | 15ns | |
| Tension inverse de crête répétitive Vrrm | 200V | |
| Température minimum de fonctionnement | -65°C | |
| Tension directe maximale Vf | 1.2V | |
| Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm | 60A | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Longueur | 6.75mm | |
| Hauteur | 3.53mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Configuration de diode Simple | ||
Type de produit Jonction au silicium | ||
Courant direct maximum If 1.5A | ||
Type de montage Traversant | ||
Sous type Jonction au silicium | ||
Type de Boitier DO-15 | ||
Nombre de broches 2 | ||
Temps de recouvrement inverse crête trr 15ns | ||
Tension inverse de crête répétitive Vrrm 200V | ||
Température minimum de fonctionnement -65°C | ||
Tension directe maximale Vf 1.2V | ||
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm 60A | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Longueur 6.75mm | ||
Hauteur 3.53mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
Diodes de redressement, 1 à 3 A, STMicroelectronics
Diodes et redresseurs, STMicroelectronics
Nos clients ont également consulté
- Jonction au silicium Non STMicroelectronics 1.5 A 200 V DO-15
- Jonction au silicium Non onsemi 200 mA DO-35
- Jonction au silicium Non Vishay 200 mA 250 mV DO-35
- Jonction au silicium Non onsemi 2 A 200 V DO-214AC
- Jonction au silicium Non onsemi 2 A 200 V DO-214AA
- Jonction au silicium Non onsemi 2 A 200 V DO-41
- Jonction au silicium Non DiodesZetex 1 A 200 V DO-41
- Jonction au silicium Non Vishay 1.5 A 100 V DO-204AC