Jonction au silicium Non STMicroelectronics, Simple, 8 A 1.2 kV, 3 broches, TO-263

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795-9126P
Référence fabricant:
STTH812G-TR
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Configuration de diode

Simple

Type de produit

Jonction au silicium

Courant direct maximum If

8A

Type de montage

En surface

Sous type

Jonction au silicium

Type de Boitier

TO-263

Nombre de broches

3

Tension directe maximale Vf

2.2V

Température minimum de fonctionnemen

-65°C

Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm

100A

Temps de recouvrement inverse crête trr

50ns

Tension inverse de crête répétitive Vrrm

1.2kV

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

No

Hauteur

4.6mm

Largeur

9.35mm

Longueur

10.4mm

Standard automobile

Non

Diodes de redressement, 4 à 9 A, STMicroelectronics


Diodes et redresseurs, STMicroelectronics


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