Jonction au silicium Non Taiwan Semiconductor, Simple, 1 A 800 V, 2 broches, DO-41
- Code commande RS:
- 796-5982
- Référence fabricant:
- FR106G R0
- Marque:
- Taiwan Semiconductor
Sous-total (100 unités, dans un pack de 100)*
4,60 €
HT
5,50 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Dernier stock RS
- 4 000 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 100 + | 0,046 € | 4,60 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 796-5982
- Référence fabricant:
- FR106G R0
- Marque:
- Taiwan Semiconductor
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Taiwan Semiconductor | |
| Type de produit | Jonction au silicium | |
| Courant direct maximum If | 1A | |
| Configuration de diode | Simple | |
| Type de montage | Traversant | |
| Sous type | Jonction au silicium | |
| Type de Boitier | DO-41 | |
| Nombre de broches | 2 | |
| Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm | 30A | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe maximale Vf | 1.3V | |
| Tension inverse de crête répétitive Vrrm | 800V | |
| Temps de recouvrement inverse crête trr | 500ns | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 2.7mm | |
| Diamètre | 2.7mm | |
| Longueur | 5.2mm | |
| Hauteur | 2.7mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Taiwan Semiconductor | ||
Type de produit Jonction au silicium | ||
Courant direct maximum If 1A | ||
Configuration de diode Simple | ||
Type de montage Traversant | ||
Sous type Jonction au silicium | ||
Type de Boitier DO-41 | ||
Nombre de broches 2 | ||
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm 30A | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe maximale Vf 1.3V | ||
Tension inverse de crête répétitive Vrrm 800V | ||
Temps de recouvrement inverse crête trr 500ns | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 2.7mm | ||
Diamètre 2.7mm | ||
Longueur 5.2mm | ||
Hauteur 2.7mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Diodes de redressement, 1 A, Taiwan Semiconductor
Diodes et redresseurs, Taiwan Semiconductor
Nos clients ont également consulté
- Jonction au silicium Non Taiwan Semiconductor 1 A 800 V DO-41
- Diode Zener Traversant dissip. ≤ 1.3 W 5 % DO-41 2 broches
- Jonction au silicium Non Taiwan Semiconductor 150 mA 100 V DO-35
- Jonction au silicium Non Taiwan Semiconductor 3 A 200 V DO-214AA
- Jonction au silicium Non Taiwan Semiconductor 2 A 200 V DO-214AA
- Jonction au silicium Non Taiwan Semiconductor 3 A 400 V DO-214AA
- Jonction au silicium Non Taiwan Semiconductor 2 A 600 V DO-214AC
- Jonction au silicium Non Taiwan Semiconductor 2 A 600 V DO-214AA