Jonction au silicium AEC-Q101 Fairchild Semiconductor, Simple, 400 mA 100 V, 2 broches, DO-35
- Code commande RS:
- 842-8002
- Référence fabricant:
- 1N4148
- Marque:
- Fairchild Semiconductor
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (2000 unités, dans une boîte de 2000)*
24,00 €
HT
28,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- Plus 2 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 05 octobre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | La Boite* |
|---|---|---|
| 2000 - 8000 | 0,012 € | 24,00 € |
| 10000 + | 0,012 € | 24,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 842-8002
- Référence fabricant:
- 1N4148
- Marque:
- Fairchild Semiconductor
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Fairchild Semiconductor | |
| Type de produit | Jonction au silicium | |
| Configuration de diode | Simple | |
| Courant direct maximum If | 400mA | |
| Type de montage | Traversant | |
| Sous type | Jonction au silicium | |
| Type de Boitier | DO-35 | |
| Nombre de broches | 2 | |
| Température minimum de fonctionnemen | -65°C | |
| Temps de recouvrement inverse crête trr | 4ns | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 500mW | |
| Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm | 4A | |
| Tension inverse de crête répétitive Vrrm | 100V | |
| Tension directe maximale Vf | 1V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Largeur | 1.91mm | |
| Longueur | 4.56mm | |
| Série | 1N4x48 | |
| Diamètre | 1.91mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 1.91mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Fairchild Semiconductor | ||
Type de produit Jonction au silicium | ||
Configuration de diode Simple | ||
Courant direct maximum If 400mA | ||
Type de montage Traversant | ||
Sous type Jonction au silicium | ||
Type de Boitier DO-35 | ||
Nombre de broches 2 | ||
Température minimum de fonctionnemen -65°C | ||
Temps de recouvrement inverse crête trr 4ns | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 500mW | ||
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm 4A | ||
Tension inverse de crête répétitive Vrrm 100V | ||
Tension directe maximale Vf 1V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Largeur 1.91mm | ||
Longueur 4.56mm | ||
Série 1N4x48 | ||
Diamètre 1.91mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 1.91mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Diodes de commutation petits signaux, ON Semiconductor
Diodes et redresseurs, ON Semiconductor
Que vous travailliez sur une nouvelle conception ou que vous l'achetez, on Semiconductor vous offre des diodes et redresseurs standard, des diodes à petit signal, des diodes Schottky et Zener. Ces composants offrent la meilleure combinaison de qualité, de fonctionnalités et d'options de présentation disponible.
Nos clients ont également consulté
- Jonction au silicium AEC-Q101 Fairchild Semiconductor 400 mA 100 V DO-35
- Jonction au silicium Non Taiwan Semiconductor 150 mA 100 V DO-35
- Jonction au silicium Non Vishay 300 mA 75 V DO-35
- Jonction au silicium Non Taiwan Semiconductor 3 A 400 V DO-214AA
- Jonction au silicium AEC-Q101 onsemi 1.5 A 400 V DO-214AA (SMB)
- Jonction au silicium AEC-Q101 Vishay 0.5 A 400 V DO-213AA
- Diode Taiwan Semiconductor Commutation Simple 50 ns, 3 A Traversant 2 broches DO-201ADAEC-Q101
- Diode Taiwan Semiconductor Commutation Simple 35 ns, 3 A Traversant 2 broches DO-201AD