Diode CMS Nexperia, 200mA, 50V, LLDS
- Code commande RS:
- 509-976
- Référence fabricant:
- BAS86,115
- Marque:
- Nexperia
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Uniquement disponible en livraison standard
Prix pour l'unité (par multiple de 50)
0,203 €
HT
0,244 €
TTC
Unité | Prix par unité | le paquet* |
---|---|---|
50 - 50 | 0,203 € | 10,15 € |
100 - 200 | 0,091 € | 4,55 € |
250 - 450 | 0,087 € | 4,35 € |
500 - 950 | 0,081 € | 4,05 € |
1000 + | 0,061 € | 3,05 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 509-976
- Référence fabricant:
- BAS86,115
- Marque:
- Nexperia
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Diodes barrière Schottky, 200 mA à 500 mA
Haut rendement
Boîtiers de montage en surface ultra-compacts, bas profil
Optimisé pour les faibles chutes de tension directe (VF) et les hautes températures de jonction
Capacité faible
Pertes de commutation d'alimentation négligeables
Faible courant de fuite
Boîtiers de montage en surface ultra-compacts, bas profil
Optimisé pour les faibles chutes de tension directe (VF) et les hautes températures de jonction
Capacité faible
Pertes de commutation d'alimentation négligeables
Faible courant de fuite
La Nexperia BAS86 est une diode barrière Schottky planaire avec une bague de protection intégrée pour la protection contre la contrainte, encapsulée dans un petit boîtier CMS (CMS) en verre SOD80C scellé hermétiquement à chaque extrémité Il est adapté au "positionnement automatique" et peut donc résister à la soudure par immersion.
Faible tension directe
Tension d'isolation élevée
Protection de la bague de protection
Boîtier CMS en verre hermétiquement étanche
Tension d'isolation élevée
Protection de la bague de protection
Boîtier CMS en verre hermétiquement étanche
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
---|---|
Type de montage | CMS |
Type de boîtier | LLDS |
Courant direct continu maximum | 200mA |
Tension inverse de crête répétitive | 50V |
Configuration de diode | Simple |
Type de redressement | Diode Schottky |
Type diode | Schottky |
Nombre de broches | 2 |
Nombre d'éléments par circuit | 1 |
Technologie de diode | Schottky |
Temps de recouvrement inverse crête | 4ns |
courant direct de surcharge non-répétitif de crête | 5A |
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