Diode CMS onsemi, 200mA, 30V, SOT-363 (SC-88)
- Code commande RS:
- 145-4164
- Référence fabricant:
- MBD54DWT1G
- Marque:
- onsemi
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| Unité | Prix par unité | la bobine* |
| 3000 + | 0,06 € | 180,00 € |
| *Prix donné à titre indicatif | ||
- Code commande RS:
- 145-4164
- Référence fabricant:
- MBD54DWT1G
- Marque:
- onsemi
Documentation technique
Législation et Conformité
- Pays d'origine :
- CN
Détail produit
Diodes barrières Schottky d on Semiconductor
Ce redresseur on Semiconductor Schottky utilise le principe de barrière Schottky à l'aide d'une barrière métallique pour créer le meilleur échange de courant inverse de chute de tension directe. Adapté pour une rectification basse tension et haute fréquence, ainsi qu'une diode de protection contre la roue libre et la polarité dans une large gamme d'applications à montage en surface où une taille et un poids plus compacts sont essentiels.
• Sans plomb
• Conçu pour l'assemblage de carte automatisé optimal
Protection contre les contraintes
Boîtier moulé en époxy
Boîtier léger 11,7 mg
• Conçu pour l'assemblage de carte automatisé optimal
Protection contre les contraintes
Boîtier moulé en époxy
Boîtier léger 11,7 mg
Normes
Les produits dont le préfixe de la référence fabricant commence par NSV-, SBR-ou S- sont certifiés AEC-Q101 pour l'automobile.
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de montage | CMS |
| Type de boîtier | SOT-363 (SC-88) |
| Courant direct continu maximum | 200mA |
| Tension inverse de crête répétitive | 30V |
| Configuration de diode | Isolé |
| Type de redressement | Diode Schottky |
| Type diode | Schottky |
| Nombre de broches | 6 |
| Chute minimale de tension directe | 1V |
| Nombre d'éléments par circuit | 2 |
| Technologie de diode | Barrière Schottky |
| Temps de recouvrement inverse crête | 5ns |