Diode CMS STMicroelectronics, 10A, 1200V, D2PAK

La diode SiC, disponible en boîtiers TO-220AC et D²PAK, est un redresseur Schottky de puissance à très hautes performances. Elle est fabriquée à l'aide d'un substrat en carbure de silicium. Le matériau à grand écart de bande permet la conception d'une structure de diode Schottky à faible VF avec une valeur nominale de 1 200 V. Grâce à la structure Schottky, aucune reprise n'apparaît à la mise hors tension et les modèles de sonnerie sont négligeables. Le comportement capacitif minimal à la mise hors tension est indépendant de la température. Particulièrement adaptée pour une utilisation dans les applications PFC et côté secondaire, cette diode SiC de ST améliore les performances dans les conditions de commutation difficiles. Ce redresseur améliore les performances de l'application ciblée. Sa haute capacité de surtension directe garantit une bonne robustesse pendant les phases transitoires

Récupération inverse nulle ou négligeable
Comportement de commutation indépendant de la température
Périphérie haute tension robuste
Compatible PPAP
Température d'utilisation : -40 à +175 °C