Diode traversante STMicroelectronics, 10A, 650V, TO-220AC

La diode SiC est une diode de puissance Schottky à très hautes performances. Elle est fabriquée à l'aide d'un substrat en carbure de silicium. Le matériau à grand écart de bande permet la conception d'une structure de diode Schottky avec une valeur nominale de 650 V. Grâce à la structure Schottky, aucune reprise n'apparaît à la mise hors tension et les modèles de sonnerie sont négligeables. Le comportement capacitif minimal à la mise hors tension est indépendant de la température. Particulièrement adaptée pour une utilisation dans les applications PFC, cette diode SiC de ST améliore les performances dans les conditions de commutation difficiles. Sa haute capacité de surtension directe garantit une bonne robustesse pendant les phases transitoires

Récupération inverse nulle ou négligeable
Comportement de commutation indépendant de la température
Dédiée aux applications PFC
Capacité de surtension directe élevée
TJ d'utilisation de -40 à +175 °C