Ces diodes barrières Schottky sont optimisées pour une faible chute de tension directe et un faible courant de fuite qui offre la meilleure dissipation de puissance dans les applications. Elles sont logées dans un microboîtier gain de place idéal pour les applications à espace restreint.
Faible chute de tension directe - 580 mV (typ.) @ IF = 500 mA Haut rendement Faible courant inverse - 2 uA (typ.) @ VR = 40 V Haut rendement 500 mA de courant direct continu Haute intensité de courant Indice de protection ESD élevé : HBM - classe 3B, CDM - classe IV Robuste ESD Grande vitesse de commutation Pertes de commutation réduites Ces dispositifs sont sans plomb, sans halogène et sans BFR Ecologique. Rétroéclairage de LCD et de clavier Flash d'appareil photo Convertisseurs abaisseurs-élévateurs c.c./c.c. Protection contre les inversions de tension et de courant Blocage et protection Smartphone Tablettes Appareils portatifs
