Diode traversante onsemi, 77A, 1200V, A-247

Code commande RS:: 178-4413
Référence fabricant:: FFSH50120A
Marque:: onsemi

Diode traversante onsemi, 77A, 1200V, A-247

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Unité	Prix par unité
1 - 9	18,63 €
10 - 24	17,19 €
25 - 99	16,39 €
100 - 249	14,49 €
250 +	13,80 €

Code commande RS:: 178-4413
Référence fabricant:: FFSH50120A
Marque:: onsemi

Documentation technique

Datasheet FFSH50120A

Législation et Conformité

Pays d'origine :: CN

Détail produit

Diode Schottky en carbure de silicium (SiC) - EliteSiC, 50 A, 1 200 V, D1, Diode Schottky en carbure de silicium (SiC) TO-247-2L - EliteSiC, 50 A, 1 200 V, D1, TO-247-2L

Les diodes Schottky au carbure de silicium (SiC) utilisent une technologie entièrement nouvelle offrant d'excellentes performances de commutation et une fiabilité plus élevée que le silicium. L'absence de courant de récupération inverse, des propriétés de commutation indépendantes de la température et d'excellentes performances thermiques font du carbure de silicium la prochaine génération de semi-conducteurs de puissance. Les avantages incluent un rendement supérieur, une fréquence d'utilisation plus rapide, une densité de puissance accrue, la réduction des IEM et la réduction de la taille et du coût du système.

Température de jonction max. 175 °C
Température de jonction max. 175 °C
Coefficient de température positif
Plus grande facilité de mise en parallèle
Aucune récupération inverse/Aucune récupération directe
Applications
PFC
Alimentation industrielle
Solaire
Chargeur EV
UPS
Soudage

Caractéristiques techniques

Attribut	Valeur
Type de montage	Traversant
Type de boîtier	A-247
Courant direct continu maximum	77A
Tension inverse de crête répétitive	1200V
Configuration de diode	Simple
Type de redressement	Diode Schottky
Type diode	Schottky SiC
Nombre de broches	2
Nombre d'éléments par circuit	1
Technologie de diode	Schottky SiC
courant direct de surcharge non-répétitif de crête	1.7kA