Diode CMS ON Semiconductor, 20A, 650V, D2PAK

Code commande RS:: 189-0177
Référence fabricant:: FFSB2065B-F085
Marque:: onsemi

Diode CMS ON Semiconductor, 20A, 650V, D2PAK

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Prix pour l'unité (en bobine de 800)

3,167 €

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TTC

Unité	Prix par unité	la bobine*
800 +	3,167 €	2 533,60 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 189-0177
Référence fabricant:: FFSB2065B-F085
Marque:: onsemi

Documentation technique

Datasheet FFSB2065B-F085

Législation et Conformité

Détail produit

Diode Schottky en carbure de silicium (SiC) - Diode Schottky en carbure de silicium (SiC) automobile EliteSiC, 20 A, 650 V, D2, D2PAK, 650 V

Les diodes Schottky au carbure de silicium (SiC) utilisent une technologie entièrement nouvelle offrant d'excellentes performances de commutation et une fiabilité plus élevée que le silicium. L'absence de courant de récupération inverse, des propriétés de commutation indépendantes de la température et d'excellentes performances thermiques font du carbure de silicium la prochaine génération de semi-conducteurs de puissance. Les avantages incluent un rendement supérieur, une fréquence d'utilisation plus rapide, une densité de puissance accrue, la réduction des IEM et la réduction de la taille et du coût du système.

Température de jonction max. 175 °C

Capacité de courant de pointe élevé
Coefficient de température positif
Plus grande facilité de mise en parallèle
Aucune récupération inverse/Aucune récupération directe
Compatible PPAP
Applications
Chargeurs de véhicules électriques/hybrides (HEV-EV) embarqués
Convertisseurs c.c.-c.c. de véhicules électriques/hybrides (HEV-EV)

Caractéristiques techniques

Attribut	Valeur
Type de montage	CMS
Type de boîtier	D2PAK
Courant direct continu maximum	20A
Tension inverse de crête répétitive	650V
Configuration de diode	Simple
Type de redressement	Diode Schottky
Type diode	Schottky SiC
Nombre de broches	3
Nombre d'éléments par circuit	1
Technologie de diode	Schottky SiC
courant direct de surcharge non-répétitif de crête	882 (Peak)A