Diode CMS STMicroelectronics, 10A, 650V, PowerFLAT

La diode STMicroelectronics SiC est une diode Schottky de puissance à très hautes performances, fabriquée à l'aide d'un substrat en carbure de silicium. Il est doté d'un matériau à large écart de bande qui permet la conception d'une structure de diode Schottky avec une valeur nominale de 650 V. Aucune reprise n'apparait à la mise hors tension et les modèles de sonnerie sont négligeables. Le comportement de mise hors tension capacitive minimal est indépendant de la température, grâce à la construction Schottky.

Boîtier de moins de 1 mm de hauteur
Boîtier à fort vieillissement en fluage
Récupération inverse nulle ou négligeable
Comportement de commutation indépendant de la température
Capacité de surtension directe élevée
Très faible chute de tension directe
Produit écoénergétique
Composant conforme à la norme ECOPACK2