Diode Schottky et de redressement traversante Microchip, 90A, 3300V, TO-247 MAX

Les diodes de puissance à barrière Schottky (SBD) en carbure de silicium (SiC) de Microchip augmentent les performances par rapport aux autres diodes de silicium tout en réduisant votre coût total de possession pour des applications haute tension. Le dispositif est un SBD SiC 3.300 V, 90 A dans un boîtier T-MAX à deux fils. Il est doté de caractéristiques telles que l'absence de récupération inverse, une faible tension directe et un faible courant de fuite.

Fréquence de commutation élevée et faibles pertes de commutation
Commutation à faible bruit (EMI) et systèmes plus fiables