Diode Schottky et de redressement STMicroelectronics Diode de redressement Anode commune, 100 V, , 12 A Surface 3
- Code commande RS:
- 273-5117
- Référence fabricant:
- STPST12H100SF
- Marque:
- STMicroelectronics
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2 100,00 €
HT
2 520,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 6000 - 6000 | 0,35 € | 2 100,00 € |
| 12000 + | 0,341 € | 2 046,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 273-5117
- Référence fabricant:
- STPST12H100SF
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de montage | Surface | |
| Type de produit | Diode Schottky et de redressement | |
| Type de Boitier | ECOPACK | |
| Courant continu direct maximum If | 12A | |
| Tension inverse de crête répétitive Vrrm | 100V | |
| Série | STPS | |
| Configuration de diode | Anode commune | |
| Type de Diode | Diode de redressement | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm | 230A | |
| Température minimum de fonctionnement | -65°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Longueur | 4.75mm | |
| Hauteur | 6.65mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de montage Surface | ||
Type de produit Diode Schottky et de redressement | ||
Type de Boitier ECOPACK | ||
Courant continu direct maximum If 12A | ||
Tension inverse de crête répétitive Vrrm 100V | ||
Série STPS | ||
Configuration de diode Anode commune | ||
Type de Diode Diode de redressement | ||
Nombre de broches 3 | ||
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm 230A | ||
Température minimum de fonctionnement -65°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Longueur 4.75mm | ||
Hauteur 6.65mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- MY
Le redresseur à tranchée Schottky de puissance de STMicroelectronics est basé sur la technologie de tranchée ST qui permet d'obtenir le meilleur compromis VF/IR inclus pour une surface de silicium donnée. Intégré dans des boîtiers plats et à gain de place, ce redresseur de tranchée est destiné à être utilisé dans les alimentations à découpage miniatures haute fréquence.
Capacité de température de jonction élevée
Faible chute de tension vers l'avant
Faibles charges de récupération
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