Diode CMS Nexperia, 150mA, 100V, SOT-323 (SC-70)
- Code commande RS:
- 544-4663
- Référence fabricant:
- BAV99W,115
- Marque:
- Nexperia
920 pour livraison dès le lendemain (stock France)
1210 Sous 2 jour(s) (stock Europe)
Ajouté
Prix pour l'unité (par multiple de 10)
0,174 €
HT
0,209 €
TTC
| Unité | Prix par unité | le paquet* |
| 10 - 90 | 0,174 € | 1,74 € |
| 100 - 190 | 0,164 € | 1,64 € |
| 200 - 490 | 0,14 € | 1,40 € |
| 500 - 990 | 0,131 € | 1,31 € |
| 1000 + | 0,12 € | 1,20 € |
| *Prix donné à titre indicatif | ||
- Code commande RS:
- 544-4663
- Référence fabricant:
- BAV99W,115
- Marque:
- Nexperia
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Diodes de commutation haute vitesse Nexperia BAV99
La gamme Nexperia BAV99 est une série de diodes de commutation haute vitesse. Elles sont fournies dans un boîtier en plastique à montage en surface (CMS) disponible en différentes tailles.
Les diodes de commutation BAV99 sont idéales pour les applications de commutation haute vitesse et de protection contre les inversions de polarité. Elles sont également certifiées AEC-Q101 et adaptées aux applications automobiles.
Caractéristiques :
Vitesse de commutation : trr ≤ 4 ns
Faible courant de fuite
Capacité faible
Versions disponibles :
BAV99 - SOT23 (TO-236AB)
BAV99S - SOT363 (SC-88)
BAV99W - SOT323 (SC-70)
Les diodes de commutation BAV99 sont idéales pour les applications de commutation haute vitesse et de protection contre les inversions de polarité. Elles sont également certifiées AEC-Q101 et adaptées aux applications automobiles.
Caractéristiques :
Vitesse de commutation : trr ≤ 4 ns
Faible courant de fuite
Capacité faible
Versions disponibles :
BAV99 - SOT23 (TO-236AB)
BAV99S - SOT363 (SC-88)
BAV99W - SOT323 (SC-70)
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de montage | CMS |
| Type de boîtier | SOT-323 (SC-70) |
| Courant direct continu maximum | 150mA |
| Tension inverse de crête répétitive | 100V |
| Configuration de diode | Série |
| Type de redressement | Usage général |
| Type diode | Haut débit |
| Nombre de broches | 3 |
| Chute minimale de tension directe | 1.25V |
| Nombre d'éléments par circuit | 2 |
| Technologie de diode | Jonction au silicium |
| Temps de recouvrement inverse crête | 4ns |
| courant direct de surcharge non-répétitif de crête | 4A |