Redresseurs au silicium BY251G Traversant Taiwan Semiconductor, 3 A Usage général, 200 V, DO-201AD 2 broches

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Code commande RS:
796-9928
Référence fabricant:
BY251G
Marque:
Taiwan Semiconductor
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Marque

Taiwan Semiconductor

Type de montage

Traversant

Type de produit

Redresseurs au silicium

Type de Boitier

DO-201AD

Courant continu direct maximum If

3A

Tension inverse de crête répétitive Vrrm

200V

Série

BY251 - BY254

Configuration de diode

Simple

Type de Diode

Usage général

Nombre de broches

2

Courant inverse crête Ir

100μA

Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm

150A

Température minimum de fonctionnement

-65°C

Tension directe maximale Vf

1V

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

9.5mm

Normes/homologations

UL 94V-0, RoHS, MIL-STD-202

Diamètre

5.6 mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN

Diodes de redressement, 3 à 4 A, Taiwan Semiconductor


Diodes et redresseurs, Taiwan Semiconductor


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