Diode traversante Vishay, 40A, 100V, TO-220F
- Code commande RS:
- 818-4440
- Référence fabricant:
- VF40100C-E3/4W
- Marque:
- Vishay
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Prix pour l'unité (par multiple de 5)
2,158 €
HT
2,59 €
TTC
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,158 € | 10,79 € |
| 50 - 120 | 1,942 € | 9,71 € |
| 125 - 245 | 1,832 € | 9,16 € |
| 250 - 495 | 1,77 € | 8,85 € |
| 500 + | 1,726 € | 8,63 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 818-4440
- Référence fabricant:
- VF40100C-E3/4W
- Marque:
- Vishay
Documentation technique
Législation et Conformité
- Pays d'origine :
- CN
Détail produit
TMBS - Redresseurs barrière Schottky MOS Trench, 30 à 80 A, Vishay Semiconductor
La série de redresseurs barrière Schottky MOS Trench (TMBS) de Vishay contient une structure à tranchée brevetée. Les redresseurs TMBS offrent plusieurs avantages par rapport aux redresseurs Schottky planaires. A des tensions d'utilisation de 45 V et au-delà, les redresseurs Schottky planaires peuvent perdre leur avantage de commutation rapide et de faible chute de tension à un degré significatif. La structure TMBS brevetée aborde ces problèmes en réduisant les injections de porteur minoritaire dans la région à dérive, minimisant ainsi les charges stockées tout en améliorant les vitesses de commutation.
Structure à tranchée brevetée
Efficacité améliorée dans les alimentations à découpage c.a./c.c. et les convertisseurs c.c./c.c.
Forte densité de puissance et faible tension directe
Efficacité améliorée dans les alimentations à découpage c.a./c.c. et les convertisseurs c.c./c.c.
Forte densité de puissance et faible tension directe
Caractéristiques
Redresseurs Schottky - Vishay Semiconductor
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de montage | Traversant |
| Type de boîtier | TO-220F |
| Courant direct continu maximum | 40A |
| Tension inverse de crête répétitive | 100V |
| Configuration de diode | Cathode commune |
| Type de redressement | Redresseur Schottky |
| Type diode | Schottky |
| Nombre de broches | 3 |
| Chute minimale de tension directe | 730mV |
| Nombre d'éléments par circuit | 2 |
| Technologie de diode | Barrière Schottky |
| courant direct de surcharge non-répétitif de crête | 250A |
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