Diode Montage panneau Vishay, 200A, 150V, TO-240AA

Les modules IGBT haute efficacité de Vishay sont fournis avec un choix de technologies IGBT PT, NPT et Trench. La gamme inclut des interrupteurs simples, des inverseurs, des choppers, des demi-ponts, ou en configurations personnalisées. Ces modules IGBT sont conçus pour être utilisés en tant qu'interrupteur principal dans les alimentations à découpage, les alimentations sans coupure, le soudage industriel, les entraînements de moteur et les systèmes de correction du facteur de puissance.

Applications typiques : convertisseurs élévateurs et abaisseurs de tension, les convertisseurs vers l'avant et doubles vers l'avant, les demi-ponts, les ponts complets (ponts en H) et les ponts triphasés.

Vaste gamme de formats de boîtier standard
Montage direct sur dissipateur thermique
Choix de technologies IGBT PT, NPT et Trench
IGBT Low-VCE(on)
Fréquence de commutation de 1 kHz à 150 kHz
Hautes performances contre les transitoires
Haute tension d'isolation jusqu'à 3 500 V
100 % sans plomb (Pb) et conforme à la directive RoHS
Résistance thermique faible
Plage de température de fonctionnement étendue (de -40 °C à +175 °C)

La cathode commune redresseur Schottky Vishay VS-VSKCS209 a été optimisée pour une faible fuite inverse à haute température. La technologie de barrière propriétaire permet un fonctionnement fiable jusqu'à une température de jonction de 175 °C. Les applications typiques sont les alimentations à découpage à courant élevé, les alimentations à placage, les systèmes d'onduleur, les convertisseurs, les diodes de roue libre, Soudage et protection de batterie inverse.

Faible chute de tension directe
Fonctionnement haute fréquence
Résistance thermique faible

Module IGBT, Vishay

Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.