Diode TVS STMicroelectronics 1, dissip. 600 W Uni-Directionnel 30 V, 2 broches
- Code commande RS:
- 192-5114P
- Référence fabricant:
- SMB6F30AY
- Marque:
- STMicroelectronics
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 192-5114P
- Référence fabricant:
- SMB6F30AY
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Configuration de diode | Simple | |
| Type de produit | Diode TVS | |
| Type de direction | Uni-Directionnel | |
| Tension de claquage minimum Vbr | 33.2V | |
| Type de montage | Montage en surface | |
| Tension inverse maximum à l'état bloqué Vwm | 30V | |
| Nombre de broches | 2 | |
| Dissipation de puissance crête d'impulsion Pppm | 600W | |
| Tension de pincement VC | 64.3V | |
| Protection ESD | Oui | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Courant d'impulsion crête maximum | 62A | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 | |
| Largeur | 4.6mm | |
| Hauteur | 1.05mm | |
| Longueur | 3.95mm | |
| Courant de fuite inverse maximum | 1μA | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Configuration de diode Simple | ||
Type de produit Diode TVS | ||
Type de direction Uni-Directionnel | ||
Tension de claquage minimum Vbr 33.2V | ||
Type de montage Montage en surface | ||
Tension inverse maximum à l'état bloqué Vwm 30V | ||
Nombre de broches 2 | ||
Dissipation de puissance crête d'impulsion Pppm 600W | ||
Tension de pincement VC 64.3V | ||
Protection ESD Oui | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Courant d'impulsion crête maximum 62A | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Nombre d'éléments par circuit 1 | ||
Largeur 4.6mm | ||
Hauteur 1.05mm | ||
Longueur 3.95mm | ||
Courant de fuite inverse maximum 1μA | ||
- Pays d'origine :
- MA
La série SMB6FxxAY est conçue pour protéger les circuits automobiles sensibles contre les surtensions et les décharges électrostatiques. La technologie Planar le rend compatible avec les circuits haut de gamme où un faible courant de fuite et une température de jonction élevée sont nécessaires pour fournir fiabilité et stabilité à long terme.
Puissance d'impulsion de crête : 600 W (10/1 000 μs) et 4 kW (8/20 μs)
Boîtier plat et mince : 1 mm
Plage de tension d'arrêt de 5 à 188 V
Type unidirectionnel
Faible courant de fuite : 0,2 μA à 25 °C et 1 μA à 85 °C
Tj de fonctionnement max. : 175 °C
Capacité de puissance élevée à Tj max. : jusqu'à 470 W (10/1 000 μs)
Finition du plomb : placage étamé mat
