Diode TVS STMicroelectronics 1, dissip. 600 W Uni-Directionnel 30 V, 2 broches
- Code commande RS:
- 192-5114P
- Référence fabricant:
- SMB6F30AY
- Marque:
- STMicroelectronics
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 192-5114P
- Référence fabricant:
- SMB6F30AY
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | Diode TVS | |
| Configuration de diode | Simple | |
| Type de direction | Uni-Directionnel | |
| Tension de claquage minimum Vbr | 33.2V | |
| Type de montage | Surface | |
| Tension inverse maximum à l'état bloqué Vwm | 30V | |
| Nombre de broches | 2 | |
| Dissipation de puissance crête d'impulsion Pppm | 600W | |
| Protection ESD | Oui | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Courant d'impulsion crête maximum | 62A | |
| Tension de pincement VC | 64.3V | |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Largeur | 4.6mm | |
| Hauteur | 1.05mm | |
| Longueur | 3.95mm | |
| Courant de fuite inverse maximum | 1μA | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit Diode TVS | ||
Configuration de diode Simple | ||
Type de direction Uni-Directionnel | ||
Tension de claquage minimum Vbr 33.2V | ||
Type de montage Surface | ||
Tension inverse maximum à l'état bloqué Vwm 30V | ||
Nombre de broches 2 | ||
Dissipation de puissance crête d'impulsion Pppm 600W | ||
Protection ESD Oui | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Courant d'impulsion crête maximum 62A | ||
Tension de pincement VC 64.3V | ||
Nombre d'éléments par circuit 1 | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Largeur 4.6mm | ||
Hauteur 1.05mm | ||
Longueur 3.95mm | ||
Courant de fuite inverse maximum 1μA | ||
- Pays d'origine :
- MA
La série SMB6FxxAY est conçue pour protéger les circuits automobiles sensibles contre les surtensions et les décharges électrostatiques. La technologie Planar le rend compatible avec les circuits haut de gamme où un faible courant de fuite et une température de jonction élevée sont nécessaires pour fournir fiabilité et stabilité à long terme.
Puissance d'impulsion de crête : 600 W (10/1 000 μs) et 4 kW (8/20 μs)
Boîtier plat et mince : 1 mm
Plage de tension d'arrêt de 5 à 188 V
Type unidirectionnel
Faible courant de fuite : 0,2 μA à 25 °C et 1 μA à 85 °C
Tj de fonctionnement max. : 175 °C
Capacité de puissance élevée à Tj max. : jusqu'à 470 W (10/1 000 μs)
Finition du plomb : placage étamé mat